第一部【企業情報】
第１【企業の概況】
１【主要な経営指標等の推移】
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回次 |
第32期 |
第33期 |
第34期 |
第35期 |
第36期 |
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決算年月 |
平成23年７月 |
平成24年７月 |
平成25年７月 |
平成26年７月 |
平成27年７月 |
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売上高 |
（千円） |
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経常利益 |
（千円） |
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当期純利益 |
（千円） |
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持分法を適用した場合の投資利益 |
（千円） |
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資本金 |
（千円） |
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発行済株式総数 |
（株） |
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純資産額 |
（千円） |
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総資産額 |
（千円） |
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１株当たり純資産額 |
（円） |
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１株当たり配当額 |
（円） |
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（うち１株当たり中間配当額） |
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( |
( |
( |
( |
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１株当たり当期純利益金額 |
（円） |
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潜在株式調整後１株当たり当期純利益金額 |
（円） |
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自己資本比率 |
（％） |
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自己資本利益率 |
（％） |
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株価収益率 |
（倍） |
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配当性向 |
（％） |
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営業活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
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△ |
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投資活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
△ |
△ |
△ |
△ |
△ |
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財務活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
△ |
△ |
△ |
△ |
△ |
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現金及び現金同等物の期末残高 |
（千円） |
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従業員数 |
（人） |
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（ほか、平均臨時雇用者数） |
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( |
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（注）１．当社は連結財務諸表を作成しておりませんので、連結会計年度に係る主要な経営指標等の推移については記載しておりません。
２．売上高には、消費税等は含まれておりません。
３．潜在株式調整後１株当たり当期純利益金額については、潜在株式が存在しないため記載しておりません。
４．従業員数は、就業人員であり、臨時雇用者数は、（ ）外数で記載しております。
５．第32期の株価収益率については、平成23年７月31日現在の提出会社の株主に対し、平成23年８月１日付をもって普通株式１株を1.2株に株式分割をいたしましたので、平成23年７月31日の株式分割権利落後の株価を権利落前の株価に換算して算出しております。
６．第33期より、「１株当たり当期純利益に関する会計基準」（企業会計基準第２号 平成22年６月30日）、「１株当たり当期純利益に関する会計基準の適用指針」（企業会計基準適用指針第４号 平成22年６月30日公表分）及び「１株当たり当期純利益に関する実務上の取扱い」（実務対応報告第９号 平成22年６月30日）を適用しております。
平成23年８月１日付で普通株式１株につき1.2株の株式分割を行いましたが、第32期の期首に当該株式分割が行われたと仮定し、１株当たり純資産額及び１株当たり当期純利益金額を算定しております。
７．第34期の１株当たり配当額には、東証二部上場記念配当3.00円を含んでおります。
８．第35期の１株当たり配当額には、東証一部上場記念配当3.00円を含んでおります。
２【沿革】
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年月 |
事項 |
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昭和54年９月 |
半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立 |
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昭和55年７月 |
国産初のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置の開発、販売を開始 |
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昭和59年７月 |
東京都品川区に東京出張所（現東京支店）を開設 |
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昭和60年６月 |
京都市伏見区竹田田中宮町33番地（現藁屋町36番地）に本社を移転 |
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昭和60年６月 |
米国マーチインスツルメンツ社（現ノードソン社）の製品の販売を開始 |
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昭和62年２月 |
米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設 |
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平成２年11月 |
液体ソースによる高速成膜用ＣＶＤ装置の開発、販売を開始 |
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平成３年３月 |
京都市伏見区に研究開発センターを開設 |
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平成５年２月 |
茨城県土浦市につくば出張所（現つくば営業所）を開設 |
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平成５年９月 |
愛知県愛知郡長久手町に東海営業所（現東海支店）を開設 |
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平成６年２月 |
米国シンメトリックス社の技術を用いた「強誘電体成膜装置」の製造、販売を開始 |
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平成７年７月 |
薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術を開発 |
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平成７年12月 |
小型、汎用プラズマエッチング装置ＲＩＥ－１０ＮＲの開発、販売を開始 |
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平成８年12月 |
高密度プラズマＩＣＰエッチング装置ＲＩＥ－１０１ｉＰの開発、販売を開始 |
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平成９年11月 |
キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜を形成する技術を開発 |
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平成９年11月 |
小型高密度プラズマＩＣＰエッチング装置ＲＩＥ－２００ｉＰの開発、販売を開始 |
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平成10年12月 |
小型、汎用プラズマＣＶＤ装置ＰＤ－２２０の開発、販売を開始 |
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平成11年７月 |
サムコエンジニアリング株式会社より、サービス部門の営業を譲受け |
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平成12年１月 |
英国ケンブリッジ大学内に研究所を開設 |
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平成13年５月 |
日本証券業協会に株式を店頭上場 公募増資により資本金を1,213,787千円に増資 |
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平成13年７月 |
台湾新竹市に台湾事務所を開設（平成21年１月に閉鎖） |
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平成14年７月 |
生産技術研究棟（京都市伏見区）の改修工事完了 |
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平成15年11月 |
量産型プラズマＣＶＤ装置ＰＤ－２２０ＬＣの開発、販売を開始 |
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平成15年12月 |
(独)ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入 |
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平成16年11月 |
中国上海市に上海事務所を開設 |
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平成16年12月 |
株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ 株式会社へ社名を変更 |
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平成16年12月 |
株式売買単位を１，０００株から１００株に変更 |
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平成16年12月 |
日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場 |
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平成17年５月 |
汎用研究試作用プラズマＣＶＤ装置ＰＤ－２２０３Ｌ（クラスターラボ）の開発、販売を開始 |
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平成17年９月 |
英国ケンブリッジ大学との共同開発「強誘電体ナノチューブの量産技術」を英企業に技術供与 |
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平成17年12月 |
電子基板洗浄用小型バッチ式プラズマ処理装置ＰＣ－３００の開発、販売を開始 |
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平成18年３月 |
製品サービスセンターを新設 |
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平成18年５月 |
ＭＥＭＳ用高速エッチング装置ＲＩＥ－８００ｉＰＢの開発、販売を開始 |
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平成18年９月 |
中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印 |
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平成19年11月 |
半導体レーザー用エッチング装置ＲＩＥ－１４０ｉＰ／ｉＰＣの開発、販売を開始 |
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平成20年３月 |
京都市伏見区に第二研究開発棟を開設 |
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平成20年５月 |
窒化ガリウム膜形成用量産ＭＯＣＶＤ装置ＭＣＶ－２０１８の開発、販売を開始 |
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平成20年10月 |
台湾に保守サービスのための現地法人「莎姆克股份有限公司」を設立 |
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平成20年11月 |
窒化ガリウムウエハー専用エッチング装置ＲＩＥ－３３０ｉＰ／ｉＰＣの開発、販売を開始 |
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平成21年１月 |
「莎姆克股份有限公司」が営業を開始 |
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平成21年10月 |
ＭＥＭＳ研究開発用高速エッチング装置ＲＩＥ－４００ｉＰＢの開発、販売を開始 |
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平成22年４月 |
ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所ＪＡＳＤＡＱ市場（現 東京証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード））に上場 |
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平成22年７月 |
ＴＳＶ用量産型プラズマＣＶＤ装置ＰＤ－３３０ＳＴＣの開発、販売を開始 |
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平成22年７月 |
ＬＥＤ用量産型プラズマＣＶＤ装置ＰＤ－５４００の開発、販売を開始 |
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平成22年８月 |
米国ノースカロライナ州に米国東部事務所を開設（平成26年５月にニューヨーク州へ移転） |
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平成22年９月 |
中国北京市に北京事務所を開設 |
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平成23年12月 |
アジア市場向けエッチング装置ＲＩＥ－３３１ⅰＰＣの開発、販売を開始 |
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平成24年５月 |
ベトナムホーチミン市にベトナムサービスオフィスを開設 |
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平成24年11月 |
ＳｉＣパワーデバイス向けドライエッチング装置ＲＩＥ－６００ⅰＰの開発、販売を開始 |
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平成25年７月 |
東京証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード）から市場第二部へ市場変更 |
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平成25年10月 |
ＳｉＣパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置ＲＩＥ－６００ⅰＰＣの開発、販売を開始 |
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平成25年11月 |
ＭＥＭＳ向け本格量産用ドライエッチング装置ＲＩＥ－８００ⅰＰＢＣの開発、販売を開始 |
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平成26年１月 |
東京証券取引所市場第二部から同第一部銘柄に指定 |
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平成26年３月 |
米国Valence Process Equipment,Inc.とＭＯＣＶＤ装置の販売代理店契約を締結 |
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平成26年５月 |
リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.の株式90％を取得し子会社化（samco-ucp AGに社名変更） |
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平成26年９月 |
福岡市中央区に福岡営業所を開設 |
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平成27年９月 |
公募増資により資本金を1,663,687千円に増資 |
３【事業の内容】
当社は、半導体等電子部品製造装置メーカーで、薄膜形成・加工装置の製造及び販売を事業としております。
当社の製品は、薄膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition＝化学的気相成長）装置、薄膜を微細加工するエッチング装置、基板表面などをクリーニングする洗浄装置、その他装置等に区分されます。
（１）各々の装置分類毎の概要は次のとおりであります。
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装置区分 |
概 要 |
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ＣＶＤ装置 |
反応性の気体を基板上に供給し、化学反応によって薄膜を形成する装置で、一般に半導体、電子部品製造のための半導体膜、絶縁膜、金属膜などを形成するために使われます。当社が開発したＬＳ(Liquid Source)－ＣＶＤ装置では、引火爆発性のあるガスを使用せず安全性に優れた液体原料を用いて、低温で均一性に優れた薄膜を高速で形成することが可能であります。 |
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エッチング装置 |
各種半導体基板上の半導体薄膜、絶縁膜をはじめ微細加工が必要な材料をドライ加工する装置で、反応性の気体をプラズマ分解し、目的物と反応させて蝕刻いたします。当社独自のトルネードＩＣＰ (Inductively Coupled Plasma＝高密度プラズマ) を利用するエッチング装置では、高速で高精度の微細加工が可能であります。 |
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洗浄装置 |
実装基板や各種半導体基板などを溶液を用いずドライ洗浄する装置で、減圧下で反応性の気体をプラズマ放電させて処理する装置や紫外線と高濃度オゾンの併用で処理する装置などがあります。当社のドライ洗浄装置は、ウエット洗浄では難しい超精密洗浄を高効率で行うことが可能であります。 |
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その他装置 |
上記装置には含まれない特別な装置であります。 |
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その他 |
部品、保守メンテナンスなどであります。 |
（２）当社事業の用途別区分は次のとおりであります。
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用 途 |
概 要 |
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オプトエレクトロニクス分野 |
主に化合物半導体から作られるＬＥＤ (Light Emitting Diode＝発光ダイオード) やＬＤ (Laser Diode＝半導体レーザー) などの発光デバイスのほか、電気信号を光信号に変換したり、逆に光信号を電気信号に変換したりする光通信用デバイスなどに関する分野であります。 |
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電子部品分野 |
パワーデバイス・高周波デバイス・各種センサー・ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems＝微小電気機械素子）・ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave＝弾性表面波）デバイス・水晶デバイス・磁気ヘッドなどに関する分野であります。 |
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シリコン分野 |
三次元ＬＳＩ (Large Scale Integrated circuit)・三次元パッケージやウェハー欠陥解析などに関する分野であります。 |
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実装・表面処理分野 |
ＩＣのパッケージングの洗浄や表面処理に関する分野であります。高密度実装に対応するために基板はますます小型化、薄型化、多ピン化しており、高度な洗浄機能が要求されております。 |
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表示デバイス分野 |
有機ＥＬ(Electro Luminescence)、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display＝液晶表示素子)、ＰＤＰ(Plasma Display Panel)、などに関する分野であります。 |
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その他分野 |
上記以外の分野であります。 |
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部品・メンテナンス |
部品・メンテナンスに関する分野であります。 |
当社の装置の製造に関しては、自社の設計企画により協力会社に製造を委託し、製品出荷の前に独自のプログラムソフトを入力し、仕様検査・出荷検査を経て販売しております。販売に関しては営業所を通じて行うとともに、海外については一部現地販売代理店に委託しております。
当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであり、以上述べた関係を図示すると次のとおりであります。
（業態系統図）
（注）台湾を中心とする保守サービス業務は現地法人「莎姆克股份有限公司」へ委託しております。
４【関係会社の状況】
該当事項はありません。
５【従業員の状況】
(1）提出会社の状況
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（平成27年７月31日現在） |
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従業員数（人） |
平均年齢（歳） |
平均勤続年数（年） |
平均年間給与（円） |
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169(3) |
38.0 |
11.0 |
5,843,336 |
（注）１．従業員数は就業人員（当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含むほか、嘱託を含んでおります。）であり、臨時雇用者数（パートタイマー、人材会社からの派遣社員、季節工を含む）は、年間の平均人員を（ ）外数で記載しております。
２．平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。
３．当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるためセグメント毎の記載はしておりません。
(2）労働組合の状況
労働組合は結成されておりませんが、労使関係は円満に推移しております。