(1)業績
当事業年度におけるわが国経済は、設備投資が緩やかな増加基調にあるほか、個人消費も底堅く推移し、緩やかな拡大に転じつつあります。世界経済は、総じてみれば緩やかな成長が続きましたが、リスク要因としては米国新政権の経済政策運営やその新興国経済への影響、英国の欧州連合(EU)離脱交渉の展開やその影響等が挙げられております。
当社を取り巻く半導体等電子部品業界におきましては、世の中に存在する様々なモノがネットワークと繋がるIoT(Internet of Things)の進展によるデータセンター拡大に伴い、主にシリコンを材料とした半導体メモリーの需要が急増し、これに関連した設備投資が積極的に行われております。一方、当社の関わる化合物半導体及び電子部品製造装置の販売マーケット(注)は、新たなモバイル機器や車載センサーなどの電子部品分野、あるいはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems=微小電気機械素子)といった先端分野での研究開発投資が幅広い企業で進みつつあります。
このような状況の下、国内市場は前々期(第36期)、前期(第37期)を牽引した高輝度LED、高周波デバイス等各種電子部品への設備投資需要の減速に加え、新規の生産設備投資案件が先延ばしとなる傾向が継続したことから、期初に想定していた複数顧客からの生産設備案件の商談が長期化し、受注が伸び悩みました。その結果、国内売上高は2,091百万円(前期比50.9%減)と前期比で大幅に落ち込みました。
海外市場では、海外拠点網の拡充、海外子会社の活用を進めてまいりましたが、台湾や中国ではLED設備投資の一巡による減速等により市場環境が悪化しており、研究開発用途向け及び生産用途向けともに販売が低調となりました。東南アジア地域、米国、欧州におきましては、当社の販売・サービス体制の整備、新規顧客の発掘に遅れが生じており、またインドは、政府の政策による影響や最先端分野の研究開発装置需要が一部研究機関に限定されているため、本格的な市場には成長しておりません。一方、韓国での売上高については、特定顧客の活発な設備投資需要を受け、前期比で大きく伸張いたしました。その結果、輸出販売高は計画(1,420百万円)を下回り、1,033百万円(前期比4.8%減)となりました。
当社が事業を展開する化合物半導体市場は、LED分野についてはやや減速が予想されるものの、通信用途向けインジウム・リン(InP)系LD(レーザーダイオード)などのオプトエレクトロニクス分野や、高周波デバイス、各種センサー、MEMS、パワーデバイスなどの電子部品分野を中心に大きな成長が期待されております。しかしながら、当事業年度においては顧客の研究開発に係るデモ実験に留まっており、本格生産を前提とした設備投資需要には至っておりません。当社の業績は、生産用途向け装置販売の拡大により、顧客の新規設備投資の振幅に大きな影響を受けやすくなっており、加えて、受注生産であることから販売時期の繁閑の波が大きく、減収による期間業績への影響が顕著なものとなりました。
以上の結果、当事業年度における業績は、売上高が3,124百万円(前期比41.5%減)、営業損失は279百万円(前期は営業利益744百万円)となりました。また、円安の影響による為替差益57百万円(前期は為替差損170百万円)が発生したことから、経常損失は214百万円(前期は経常利益555百万円)、当期純損失は265百万円(前期は当期純利益348百万円)となりました。
(注)当社の関わる化合物半導体及び電子部品製造装置の販売マーケット
半導体製造装置業界には、シリコン(Si=ケイ素)を材料とした半導体の製造装置を販売する企業は多く存在しますが、当社は化合物半導体や電子部品の製造装置を主力製品としております。シリコンを材料とした半導体は主にD-RAM、フラッシュメモリーなどに用いられますが、当社の扱う化合物半導体はガリウムヒ素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、炭化シリコン(SiC)などを主体材料とし、シリコンに比べ高速信号処理に優れ、高電圧で動作したり、幅広い波長の光に反応したりと優れた特性を備えており、シリコンでは達成できない機能による用途・分野を日々開拓し、着実にその市場を拡大させております。現在、実用化されている主な用途・分野には、照明用(青色LED)に加え車載用に需要が拡大している高輝度LEDや、アジアでの通信用・小型プロジェクター向けに市場が拡大しているLD(オプトエレクトロニクス分野)、スマートフォンやタブレット型端末の普及で需要を牽引してきた高周波デバイス、省エネ対策として様々な研究開発が進んでいるパワーデバイスのほか、インクジェットプリンターヘッド、医療、ライフサイエンス、バイオなどで研究開発が進むMEMS(電子部品分野)などがあります。
化合物半導体製造装置の市場規模は、全半導体製造装置市場の10パーセント程度ではありますが、化合物半導体の加工は非常に困難であり、これを加工する半導体製造装置を製造するには高度な専門知識と技術の蓄積を要し、参入障壁の高い事業領域であります。当社は、創業以来この化合物半導体及び電子部品製造装置のマーケットに特化し、大学・官庁・研究機関などが主な販売先となる研究開発機市場に加えて、近年は電子部品メーカー・デバイスメーカー・情報通信機器メーカーなどの生産現場が主な販売先となる生産機市場に注力し、様々な電子機器に不可欠である高周波デバイス、コンデンサ、コイル、パワーユニットなどの電子部品市場での設備投資需要を取り込み、事業を展開しております。
主な品目別の売上高は、次のとおりであります。なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるためセグメント毎の記載はしておりません。
(CVD装置)
電子部品分野やオプトエレクトロニクス分野での各種絶縁膜、保護膜形成用途での販売があったものの、引き続き低調に推移し、売上高は212百万円(前期比22.0%減)となりました。
(エッチング装置)
電子部品分野での生産機の販売が減少したことにより、売上高は1,684百万円(前期比55.1%減)となりました。
(洗浄装置)
半導体パッケージの表面洗浄やワイヤーボンディング前の電極洗浄等で幅広い需要があり、売上高は446百万円(前期比1.3%減)となりました。
(その他)
既存装置のメンテナンスや部品販売、装置の移設・改造などで、売上高は780百万円(前期比9.8%減)となりました。
(2)キャッシュ・フローの状況
当事業年度における現金及び現金同等物(以下「資金」という)は、前事業年度末に比べ24百万円増加し、2,918百万円(前事業年度末比0.8%増)となりました。
当事業年度における各キャッシュ・フローの状況は以下の通りであります。
(営業活動によるキャッシュ・フロー)
営業活動の結果得られた資金は295百万円(前期比74.9%減)となりました。これは主に税引前当期純損失214百万円、たな卸資産の増加95百万円に対して、売上債権の減少782百万円であったことによるものです。
(投資活動によるキャッシュ・フロー)
投資活動の結果使用した資金は148百万円(前期比20.9%減)となりました。その主な内容は、定期預金の預入による支出が2,861百万円、有形固定資産の取得による支出が153百万円、貸付けによる支出22百万円に対して、定期預金の払戻による収入が2,847百万円、貸付金の回収による収入が46百万円であったことによるものです。
(財務活動によるキャッシュ・フロー)
財務活動の結果使用した資金は164百万円(前期に得られた資金は757百万円)となりました。これは主に配当金の支払額が160百万円であったことによるものです。
当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、生産、受注及び販売の状況につきましては、当社の品目別に記載しております。
(1)生産実績
当事業年度の生産実績を品目別に示すと、次のとおりであります。
|
品目別 |
当事業年度 (自 平成28年8月1日 至 平成29年7月31日) |
前年同期比(%) |
|
CVD装置(千円) |
246,145 |
109.1 |
|
エッチング装置(千円) |
1,905,233 |
52.9 |
|
洗浄装置(千円) |
512,496 |
127.6 |
|
その他(千円) |
780,572 |
83.3 |
|
合計(千円) |
3,444,448 |
66.6 |
(注)1.金額は販売価格によっております。
2.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。
(2)受注状況
当事業年度の受注実績を品目別に示すと、次のとおりであります。
|
品目別 |
受注高(千円) |
前年同期比(%) |
受注残高(千円) |
前年同期比(%) |
|
CVD装置 |
427,090 |
316.2 |
234,000 |
1,186.0 |
|
エッチング装置 |
1,825,317 |
68.3 |
611,435 |
130.0 |
|
洗浄装置 |
431,404 |
94.7 |
91,100 |
85.8 |
|
その他 |
757,261 |
85.5 |
97,480 |
80.4 |
|
合計 |
3,441,072 |
83.0 |
1,034,016 |
144.1 |
(注)1.金額は販売価格によっております。
2.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。
(3)販売実績
当事業年度の販売実績を品目別に示すと、次のとおりであります。
|
品目別 |
当事業年度 (自 平成28年8月1日 至 平成29年7月31日) |
前年同期比(%) |
|
CVD装置(千円) |
212,820 |
78.0 |
|
エッチング装置(千円) |
1,684,372 |
44.9 |
|
洗浄装置(千円) |
446,504 |
98.7 |
|
その他(千円) |
780,956 |
90.2 |
|
合計(千円) |
3,124,652 |
58.5 |
(注)1.最近2事業年度の主な相手先別の販売実績及び当該販売実績の総販売実績に対する割合は、次のとおりであります。
|
相手先 |
前事業年度 (自 平成27年8月1日 至 平成28年7月31日) |
当事業年度 (自 平成28年8月1日 至 平成29年7月31日) |
||
|
金額(千円) |
割合(%) |
金額(千円) |
割合(%) |
|
|
(株)金沢村田製作所 |
1,449,666 |
27.1 |
- |
- |
2.当事業年度の(株)金沢村田製作所については、当該割合が100分の10未満のため記載を省略しております。
3.上記の金額には、消費税等は含まれておりません。
文中における将来に関する事項は、当事業年度末現在において当社が判断したものであります。
(1)会社の経営の基本方針
当社は「薄膜技術で世界の産業科学に貢献する」ことを経営理念とし、
① 創造性を重視し、常に独創的な薄膜製造、加工技術を世界の市場に送る。
② 直販体制を採用し、ユーザーニーズに対応した製品をタイムリーに提供する。
③ 事業が社会に果す役割を積極的に認識し、高い付加価値の追求を目的とし、株主、取引先、役員、従業員に対し、適切な成果の配分をする。
を経営方針に掲げ、事業を展開しております。
(2)目標とする経営指標
当社は中期的にも収益力の高い企業であり続けようと考えております。売上高総利益率50%を確保しながら売上高を拡大していくことにより売上高経常利益率20%台への向上を目指します。売上高の拡大のため、研究開発機市場と生産機市場のそれぞれに対応した製品の拡販に努めるとともに、中期的には海外売上高比率を50%以上に引き上げる方針であります。
(3)経営環境及び対処すべき課題等
当社は、化合物半導体及び電子部品製造用の製造装置を主力製品とし、研究開発機市場と生産機市場それぞれで事業を展開しており、これまでの研究開発型企業として成長してきた高度な技術力を維持すると同時に、その技術蓄積を生産機市場で活かすことで、事業規模の拡大を図っております。加えて、当社のコアテクノロジーである「薄膜技術」は医療、バイオ、環境といったライフサイエンス及びエネルギー分野に活かすことが可能であり、中期的には当社の新規事業、新分野として成長させることを目指しております。
平成29年9月8日開催の取締役会決議により、当期の赤字決算へのけじめ、また今後の赤字との決別の意思を明確にするため、全役員を対象に役職異動を実施いたしました。なお、代表取締役会長の辻 理が代表取締役会長兼社長に復帰し、黒字回復に向けて全事業を統括することといたしました。また、代表取締役社長の石川 詞念夫が代表取締役副社長として国内営業部門に専念することといたしました。
①環境変化に対応できる強固な販売基盤を再構築する
第38期は、国内のオプトエレクトロニクス分野及び電子部品分野という特定の市場、特定の顧客の設備投資需要に偏り過ぎた計画であったため、結果、当該設備投資の遅れにより大幅な売上減を招きました。今後は外部環境の変化にも柔軟に対応可能な組織体制、販売体制、製品ラインナップを整備し、黒字経営の定着化をさせた上で、再び成長軌道に乗せたいと考えております。世の中に存在する様々なモノがネットワークと繋がるIoT(モノのインターネット)、自動運転、ロボット、AI(人工知能)等の技術革新の時代が本格的な幕開けを迎えつつあり、今一度、当社として強化すべき事業領域、事業分野を徹底し、持続的な成長を実現するための施策を実行してまいります。最も重視すべき国内外での販売力の強化については、国内、台湾、中国、韓国の既存主要顧客との繋がりを維持、強化しながら、北米、欧州、インド等の新たなマーケットの確立により、売上高の拡大、当面海外売上高比率50%の達成を目指してまいります。
②新製品、新規事業への取り組みを加速させる
当社の属する半導体等電子部品製造装置市場は、常に技術開発の競争、顧客ニーズの多様化や高度化、グローバル化が加速しており、継続的な研究開発活動による高付加価値・高機能製品の開発、新製品の市場投入を進めることで、市場での競争力を維持し続けることが命題であります。そのためにも、現在の製品群であるCVD装置、エッチング装置、洗浄装置に次ぐ、新製品の開発や、新規事業の早期業績への寄与を目指しております。なお、第38期より、新規事業(第2の事業)としては、ヘルスケア分野への進出を開始いたしました。具体的には、医療分野における滅菌装置の製造・販売、及び、新たに医療計測分野におけるヘルスケアチップの加工装置の開発・販売を計画しております。
LED、LD、パワーデバイス、高周波デバイス、MEMS、三次元LSIのTSV(Through Silicon Via=シリコン貫通電極)等の最先端分野において取引先ニーズに対応できる新製品の開発、製品のラインナップ化を一層強化いたします。また、新しいマーケット開拓のため、本社研究開発センター、米国オプトフィルムス研究所での研究開発、国内外の大学や各種クラスターとの共同研究の継続により、薄膜事業に関連する新規事業を創出し、成長を加速させてまいります。
③経営資源の有効活用
当事業年度末時点において、当社の総資産は約100億円であり財務基盤は強固である一方、その資産を、売上高の拡大という当社の大命題に対して活かしきれていないのが現状であります。保有する自社施設、設備、資金、人材を活用し、売上高と同時に利益水準を更に高めることを最優先事項として取り組んでまいります。資金については、よりグローバルな組織・体制強化のための海外拠点の整備や、研究開発に用いる機械装置等の取得資金、営業及び生産管理のための情報インフラ等に係る設備投資資金に充当してまいります。一方で、国内外を問わず他社とのアライアンスやM&Aも常に模索しており、急な投資案件にも機動的に対応していく所存であります。また、当期の業績結果を真摯に受け止め、それまでの意識、働き方を変えることで、社内での効率の良いスマートな組織を目指し、全社一丸となって早期の業績回復に努めてまいります。
株主、取引先、従業員等のステークホルダーにとって魅力ある企業を目指し、長期的な観点に立った財務体質と事業基盤の強化、収益力の強化、適切な利益配分により企業価値の向上を目指してまいります。株主の皆様におかれましては、引き続き変わらぬご支援とご鞭撻を賜りますようお願い申しあげます。
有価証券報告書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、投資者の判断に重要な影響を及ぼす可能性のある事項には、以下のようなものがあります。
なお、文中における将来に関する事項は、当事業年度末現在において当社が判断したものであります。
(1) 設備投資動向の影響について
当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売を行っております。当社が事業を展開する化合物半導体市場は、LED、LDなどのオプトエレクトロニクス分野や、高周波デバイス、各種センサー、MEMS、パワーデバイスなどの電子部品分野を中心に、大きな成長が期待されていますが、その反面、ニーズや経済環境の変化によっては、需給バランスが大きく崩れることもあり、これに伴う顧客の設備投資の凍結や減産、計画変更等が発生した場合、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(2) カントリーリスクについて
当社は、北米、欧州、中国、台湾、韓国、東南アジア等の世界各国で事業を行っており、今後も海外市場での拡販は当社の重要な経営課題となっております。しかしながら、海外事業展開においては、各国の法令、政治・社会情勢、文化宗教、商慣習の違いに起因するリスクに対処できないことにより、想定通りの成果を上げることができない可能性があり、この場合には当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(3) 特定地域、特定顧客への販売依存度について
生産用途向け製品の売上高比率の増加に伴い、海外の特定地域や国内外の特定顧客からの受注が集中することにより、売上高が大きく増減する可能性があります。特定地域、特定顧客の設備投資が低迷し装置需要が減少した場合には、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(4) 新製品開発リスクについて
当社は、半導体製造装置業界におけるCVD装置、エッチング装置、洗浄装置において、顧客が求めるニーズに対応した研究開発を継続的に実施し、新製品をタイムリーに市場投入してまいりました。しかしながら、技術革新や製品開発のスピードが速い半導体製造装置業界において、将来のニーズを予測し、それに見合った新製品を開発し続けることは容易ではありません。他社製品に対して優位性ある新製品をタイムリーに適正な価格で市場に投入できない場合、市場の技術トレンドや製品仕様が当社の開発内容と異なる方向に向かった場合、あるいは当社の新製品の開発が著しく遅れた場合は、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(5) 資材等の調達に関するリスクについて
当社の生産活動には、原材料、部品等が適時、適切に納入されることが必要ですが、原材料、部品等の一部については、その特殊性から仕入先や外注先が限定されているものや代替の困難なものがあります。当社では、仕入先や外注先と長年にわたり良好な関係を維持し、複数社購買を実施するなど安定的な調達を図っておりますが、仕入先や外注先の災害や事故、仕入価格の高騰等で、部品の安定的調達が確保できない可能性があります。その場合は、製品の出荷遅延による機会損失等が発生し、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(6) 人材の確保と育成について
当社の持続的成長を実現するため、高度なスキルを有する管理者、技術者、営業担当者、メンテナンス・サービス要員の確保と育成は極めて重要であり、社員の教育を体系的・継続的に実施する必要があります。しかしながら、必要な人材の確保が計画通りに進まなかった場合には、当社の将来の成長と業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(7) 製造物責任について
当社が提供する製品は、厳しい品質管理のもとに設計・製造されておりますが、万一顧客に深刻な損失をもたらした場合には損失に対する責任を問われる可能性があります。さらに、これらの問題による当社の企業イメージの低下は、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(8) 知的財産権について
当社は、独自技術の専有化、他社製品との差別化及び競争力強化のために、様々な技術やノウハウを開発しており、その技術やノウハウが第三者の特許権その他の知的財産権を侵害しないよう厳重に管理しております。しかしながら、既に多くの特許権その他の知的財産権が存在し、日々新しい特許権その他の知的財産権が次々と取得される中で、見解の相違などにより第三者から特許権侵害等で提訴される可能性があります。また、当社の事業展開に必要な技術についてライセンスを取得できなかった場合には、当社の事業に悪影響を及ぼす可能性があります。
(9) 債権回収リスクについて
当社は顧客に関する信用リスクの管理強化策や軽減策を実施しておりますが、経済状況の急変により予想外の倒産や支払遅延が発生した場合には、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(10) 為替リスクについて
当社の海外取引のうちアジア向けは原則日本円建、欧米向けは原則米国ドル建でありますが、今後も海外取引を拡大する方針であり米国ドル建の取引が増加することになれば為替予約を活用したとしても為替変動リスクを被る可能性があります。また、当社は外貨建資産(未予約の現預金等)も保有しております。そのため、円建資産に転換する場合だけでなく財務諸表作成のための換算においても為替変動の影響を受ける可能性があります。
(11) 情報セキュリティについて
当社は、事業遂行にあたり、重要情報や取引先等の秘密情報を有しております。これらの情報については、法令や社内規程に基づき厳格に管理しておりますが、予期せぬ事態によってこれらの情報が漏洩した場合、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
(12) 災害等による影響について
当社は災害等による影響を最小限に留めるため必要とされる安全対策や事業の早期復旧のための対策を実施しておりますが、大規模な台風や地震等の自然災害、疫病の流行、テロ、大規模な停電、火災、事故等の不測の事態が発生した場合、本社機能や製品生産に影響を与え、当社の業績に悪影響を及ぼす可能性があります。
当社が締結している主な契約は、次のとおりです。
|
相手方の名称 |
契約名 |
契約内容 |
契約期間 |
|
(独)ロバート・ボッシュ社 |
特許ライセンス契約 |
(独)ロバート・ボッシュ社より、マイクロマシンや各種センサーの加工に用いられるシリコンの高異方性ディープエッチングを高速に行うことを目的とする「ボッシュプロセス」と呼ばれるライセンスの供与を受ける契約 |
平成15年12月18日から平成30年8月19日まで |
(注)(独)ロバート・ボッシュ社との契約は、平成23年3月3日の契約変更により、期限が当初の平成25年11月27日から平成30年8月19日に延長されました。
当社は、「薄膜技術で世界の産業科学に貢献する」ことを経営理念としており、「創造性を重視し、常に独創的な薄膜製造、加工技術を世界の市場に送る」、「直販体制を採用し、ユーザーニーズに対応した製品をタイムリーに提供する」、「事業が社会に果す役割を積極的に認識し、高い付加価値の追求を目的とし、株主、取引先、役員、従業員に対し、適切な成果の配分をする」ことを経営の基本方針としております。この目標達成のため、技術革新の著しい半導体等電子部品業界の基礎研究から応用研究まで、幅広い研究開発に取り組んでおります。
本社研究開発センターは、装置開発の活性化を目的とした複数のテーマ別にプロジェクトを運営しており、既存装置の改良、改善、新製品の開発、営業支援のためのデモ実験等を行っております。また、米国オプトフィルムス研究所では、新たな半導体材料に係る基礎研究を行っております。一方、社外との共同研究も積極的に実施しており、有望なテーマがあれば、大学等の研究機関と共同研究を行っております。
当事業年度における研究開発活動の成果は、次のとおりであります。
・Aqua Plasma(アクアプラズマ)装置AQ-2000を開発、販売を開始
平成28年9月、Aqua Plasma(アクアプラズマ)装置AQ-2000を開発、販売を開始いたしました。Aqua Plasma装置は、水蒸気を主体として用いた安全な洗浄、表面改質方法であり、半導体製造工程や電子部品、医療・バイオ等の分野への応用が可能であります。
上記活動に伴い、当事業年度の研究開発費は182百万円となっております。
なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、セグメント毎の記載はしておりません。
文中の将来に関する事項は、当事業年度末現在において当社が判断したものであります。
(1)重要な会計方針及び見積り
当社の財務諸表は、わが国において一般に公正妥当と認められている会計基準に基づき作成されております。当社は、財務諸表の作成には、経営者による会計方針の選択・適用、資産・負債及び収益・費用の報告金額及び開示に影響を与える見積りを必要としております。これらの見積りについては、過去の実績等を勘案し合理的に判断しておりますが、実際の結果は見積りによる不確実性のため、これらの見積りとは異なる場合があります。
(2)財政状態の分析
(流動資産)
当事業年度末における流動資産の残高は、6,427百万円で前事業年度末に比べ416百万円減少いたしました。仕掛品が141百万円、未収還付法人税等が99百万円、未収消費税等が82百万円増加した一方、売上債権が782百万円減少したのが主な要因であります。
(固定資産)
当事業年度末における固定資産の残高は、3,700百万円で前事業年度末に比べ75百万円減少いたしました。保有する投資有価証券の時価が上昇したことにより投資有価証券が126百万円増加した一方、繰延税金資産が135百万円減少したことが主な要因であります。
(流動負債)
当事業年度末における流動負債の残高は、1,373百万円で前事業年度末に比べ181百万円減少いたしました。未払金が83百万円、未払法人税等が67百万円減少したのが主な要因であります。
(固定負債)
当事業年度末における固定負債の残高は、753百万円で前事業年度末に比べ30百万円増加いたしました。退職給付引当金が27百万円、役員退職慰労引当金が7百万円増加したのが主な要因であります。
(純資産)
当事業年度末における純資産の残高は、8,000百万円で前事業年度末に比べ341百万円減少いたしました。これは、利益剰余金が425百万円減少したことなどによります。自己資本比率は79.0%と前事業年度末比0.4ポイント上昇いたしました。
(3)経営成績の分析
「1 業績等の概要 (1)業績」の項に記載のとおりであります。
(4)資本の財源及び資金の流動性についての分析
当社の資金状況は、当事業年度末における現金及び現金同等物の残高が前事業年度末に比べ24百万円増加し、2,918百万円(前事業年度末比0.8%増)となりました。キャッシュ・フローの状況につきましては、「第一部 企業情報 第2 事業の状況 1 業績等の概要 (2) キャッシュ・フローの状況」に記載のとおりであります。
なお、直近5事業年度におけるキャッシュ・フロー指標の推移は、次のとおりであります。
|
|
第34期 |
第35期 |
第36期 |
第37期 |
第38期 |
|
自己資本比率 (%) |
76.1 |
77.3 |
73.0 |
78.6 |
79.0 |
|
時価ベースの自己資本比率 (%) |
67.4 |
79.7 |
82.7 |
61.4 |
72.7 |
|
債務償還年数 (年) |
13.9 |
- |
4.9 |
0.7 |
2.8 |
|
インタレスト・カバレッジ・レシオ(倍) |
8.0 |
- |
28.1 |
221.4 |
75.3 |
(注) 1.各指標は、下記の基準で算出しております。
・自己資本比率:自己資本/総資産
・時価ベースの自己資本比率:株式時価総額/総資産
・債務償還年数:有利子負債/営業キャッシュ・フロー
・インタレスト・カバレッジ・レシオ:営業キャッシュ・フロー/利払い
2.第35期の債務償還年数及びインタレスト・カバレッジ・レシオは、営業キャッシュ・フローがマイナスであるため記載しておりません。