第2【事業の状況】

1【事業等のリスク】

当第3四半期累計期間において、新たな事業等のリスクの発生、または、前事業年度の有価証券報告書に記載した事業等のリスクについての重要な変更はありません。

 

2【経営上の重要な契約等】

当第3四半期会計期間において、経営上の重要な契約等の決定又は締結等はありません。

 

3【財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】

文中の将来に関する事項は、当四半期会計期間の末日現在において当社が判断したものであります。

(1) 業績の状況

当第3四半期累計期間におけるわが国経済は、企業収益や雇用・所得環境の改善を背景に緩やかに拡大しております。世界経済は、米国と欧州の経済が堅調に推移したことに加え、新興国経済の緩やかな回復が継続し、着実な改善を続けております。

当社を取り巻く半導体等電子部品業界におきましては、世の中に存在する様々なモノがネットワークと繋がるIoT(Internet of Things)や人工知能(AI)の進展により主にシリコンを材料とした半導体メモリーの需要が急増し、これに関連した設備投資が積極的に行われました。また、当社の関わる化合物半導体及び電子部品製造装置の販売マーケット(注)においても、新たなモバイル機器や車載センサーなどの電子部品分野、あるいはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems=微小電気機械素子)といった先端分野での研究開発投資が幅広い企業で進んでおり、その中から本格生産への移行も進んでおります。

このような状況の下、当第3四半期累計期間はオプトエレクトロニクス分野の通信用レーザーや面発光レーザー(VCSEL)、電子部品分野の高周波デバイス、パワーデバイス、MEMS、各種センサー等の生産設備案件において商談が具体化し、国内外の複数顧客からの受注が大幅に増加しており、当第3四半期会計期間末の受注残高は2,747百万円(前年同期比197.5%増)となりました。

以上の結果、当第3四半期累計期間における業績は、売上高が3,418百万円(前年同期比44.8%増)、営業利益は218百万円(前年同期は営業損失231百万円)、経常利益は211百万円(前年同期は経常損失175百万円)、四半期純利益は146百万円(前年同期は四半期純損失236百万円)となりました。

 

(注)当社の関わる化合物半導体及び電子部品製造装置の販売マーケット

半導体製造装置業界には、シリコン(Si=ケイ素)を材料とした半導体の製造装置を販売する企業は多く存在しますが、当社は化合物半導体や電子部品の製造装置を主力製品としております。シリコンを材料とした半導体は主にD-RAM、フラッシュメモリーなどに用いられますが、当社の扱う化合物半導体はガリウムヒ素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、炭化シリコン(SiC)などを主体材料とし、シリコンに比べ高速信号処理に優れ、高電圧で動作したり、幅広い波長の光に反応したりと優れた特性を備えており、シリコンでは達成できない機能による用途・分野を日々開拓し、着実にその市場を拡大させております。現在、実用化されている主な用途・分野には、照明用(青色LED)に加え車載用に需要が拡大している高輝度LEDや、通信用・小型プロジェクター向けに市場が拡大しているLD(オプトエレクトロニクス分野)、スマートフォンやタブレット型端末の普及で需要を牽引してきた高周波デバイス、省エネ対策として様々な研究開発が進んでいるパワーデバイスのほか、インクジェットプリンターヘッド、医療、ライフサイエンス、バイオなどで研究開発が進むMEMS(電子部品分野)などがあります。

化合物半導体製造装置の市場規模は、全半導体製造装置市場の10パーセント程度ではありますが、化合物半導体の加工は非常に困難であり、これを加工する半導体製造装置を製造するには高度な専門知識と技術の蓄積を要し、参入障壁の高い事業領域であります。当社は、創業以来この化合物半導体及び電子部品製造装置のマーケットに特化し、大学・官庁・研究機関などが主な販売先となる研究開発機市場に加えて、近年は電子部品メーカー・デバイスメーカー・情報通信機器メーカーなどの生産現場が主な販売先となる生産機市場に注力し、様々な電子機器に不可欠である高周波デバイス、キャパシタ、パワーユニットなどの電子部品市場での設備投資需要を取り込み、事業を展開しております。

 

主な品目別の売上高は、次のとおりであります。なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるためセグメント毎の記載はしておりません。

(CVD装置)

オプトエレクトロニクス分野の通信用レーザーでの各種絶縁膜、保護膜形成用途での生産機の販売が増加し、売上高は534百万円(前年同期比270.8%増)となりました。

 

 

(エッチング装置)

電子部品分野の各種センサー向け、オプトエレクトロニクス分野での通信用レーザーや面発光レーザー(VCSEL)向け、アジアでの半導体メモリー用の欠陥解析向けでの販売が好調で、売上高は2,002百万円(前年同期比59.2%増)となりました。

(洗浄装置)

半導体パッケージの表面洗浄やワイヤーボンディング前の電極洗浄等での幅広い需要があり、売上高は345百万円(前年同期比3.4%増)となりました。

(その他)

既存装置のメンテナンスや部品販売、装置の移設・改造などで、売上高は535百万円(前年同期比14.3%減)となりました。

 

(2) 財政状態の分

(流動資産)

当第3四半期会計期間末における流動資産の残高は、7,440百万円で前事業年度末に比べ1,012百万円増加いたしました。現金及び預金が778百万円減少した一方、売掛金が1,377百万円、仕掛品が461百万円増加したのが主な要因であります。

(固定資産)

当第3四半期会計期間末における固定資産の残高は、3,637百万円で前事業年度末に比べ62百万円減少いたしました。機械及び装置が39百万円減少したのが主な要因であります。

(流動負債)

当第3四半期会計期間末における流動負債の残高は、2,267百万円で前事業年度末に比べ893百万円増加いたしました。前受金が481百万円、買掛金が434百万円増加したのが主な要因であります。

(固定負債)

当第3四半期会計期間末における固定負債の残高は、799百万円で前事業年度末に比べ46百万円増加いたしました。退職給付引当金が21百万円、リース債務が14百万円増加したのが主な要因であります。

(純資産)

当第3四半期会計期間末における純資産の残高は、8,010百万円で前事業年度末に比べ9百万円増加いたしました。これは、利益剰余金が26百万円増加したことなどによります。自己資本比率は72.3%と前事業年度末比6.7ポイント低下いたしました。

 

(3) 経営方針・経営戦略等

当第3四半期累計期間において、当社が定めている経営方針・経営戦略等について重要な変更はありません。

 

(4) 事業上及び財務上の対処すべき課題

当第3四半期累計期間において、当社が対処すべき課題について重要な変更はありません。

 

(5) 研究開発活動

当第3四半期累計期間における研究開発費の金額は、139百万円であります。

なお、当第3四半期累計期間において、当社の研究開発活動に重要な変更はありません。

 

(6) 経営成績に重要な影響を与える要因

当第3四半期累計期間において、経営成績に重要な影響を与える要因について重要な変更はありません。