第一部【企業情報】
第１【企業の概況】
１【主要な経営指標等の推移】
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回次 |
第40期 |
第41期 |
第42期 |
第43期 |
第44期 |
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決算年月 |
2019年７月 |
2020年７月 |
2021年７月 |
2022年７月 |
2023年７月 |
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売上高 |
（千円） |
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経常利益 |
（千円） |
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当期純利益 |
（千円） |
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持分法を適用した場合の投資利益 |
（千円） |
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資本金 |
（千円） |
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発行済株式総数 |
（株） |
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純資産額 |
（千円） |
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総資産額 |
（千円） |
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１株当たり純資産額 |
（円） |
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１株当たり配当額 |
（円） |
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（うち１株当たり中間配当額） |
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( |
( |
( |
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１株当たり当期純利益 |
（円） |
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潜在株式調整後１株当たり当期純利益 |
（円） |
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自己資本比率 |
（％） |
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自己資本利益率 |
（％） |
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株価収益率 |
（倍） |
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配当性向 |
（％） |
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営業活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
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△ |
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投資活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
△ |
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△ |
△ |
△ |
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財務活動による キャッシュ・フロー |
（千円） |
△ |
△ |
△ |
△ |
△ |
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現金及び現金同等物の期末残高 |
（千円） |
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従業員数 |
（人） |
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（ほか、平均臨時雇用者数） |
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株主総利回り |
（％） |
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（比較指標：配当込みTOPIX） |
（％） |
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( |
( |
( |
( |
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最高株価 |
（円） |
1,488 |
3,320 |
4,260 |
3,350 |
6,930 |
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最低株価 |
（円） |
743 |
760 |
2,400 |
2,009 |
2,740 |
（注）１．当社は連結財務諸表を作成しておりませんので、連結会計年度に係る主要な経営指標等の推移については記載しておりません。
２．潜在株式調整後１株当たり当期純利益については、潜在株式が存在しないため記載しておりません。
３．従業員数は、就業人員であり、臨時雇用者数は、（ ）外数で記載しております。
４．最高株価及び最低株価は、2022年４月４日より東京証券取引所プライム市場におけるものであり、それ以前は東京証券取引所市場第一部におけるものであります。
５．「収益認識に関する会計基準」（企業会計基準第29号 2020年３月31日）等を第43期の期首から適用しており、第43期以降に係る各数値については、当該会計基準等を適用した後の数値となっております。
２【沿革】
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年月 |
事項 |
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1979年９月 |
半導体製造装置の製造及び販売を目的として株式会社サムコインターナショナル研究所を設立 |
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1980年７月 |
国産初のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置の開発、販売を開始 |
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1984年７月 |
東京都品川区に東京出張所（現東日本営業部）を開設 |
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1985年６月 |
京都市伏見区竹田田中宮町33番地（現藁屋町36番地）に本社を移転 |
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1987年２月 |
米国カリフォルニア州にオプトフィルムス研究所を開設 |
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1991年３月 |
京都市伏見区に研究開発センターを開設 |
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1993年２月 |
茨城県土浦市につくば出張所（現つくば営業所）を開設 |
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1993年９月 |
愛知県愛知郡長久手町に東海営業所（現東海支店、2020年１月に名古屋市へ移転）を開設 |
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1995年７月 |
薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術を開発 |
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1997年11月 |
キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜を形成する技術を開発 |
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1999年７月 |
サムコエンジニアリング株式会社より、サービス部門の営業を譲受け |
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2001年５月 |
日本証券業協会に株式を店頭上場 公募増資により資本金を1,213,787千円に増資 |
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2001年７月 |
台湾新竹市に台湾事務所を開設（2009年１月に閉鎖） |
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2002年７月 |
生産技術研究棟（京都市伏見区）の改修工事完了 |
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2003年12月 |
(独)ロバート・ボッシュ社よりシリコンの高速ディープエッチング技術を導入 |
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2004年11月 |
中国上海市に上海事務所を開設 |
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2004年12月 |
株式会社サムコインターナショナル研究所からサムコ 株式会社へ社名を変更 |
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2004年12月 |
株式売買単位を1,000株から100株に変更 |
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2004年12月 |
日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場 |
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2005年９月 |
英国ケンブリッジ大学との共同開発「強誘電体ナノチューブの量産技術」を英企業に技術供与 |
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2006年３月 |
製品サービスセンターを新設 |
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2006年９月 |
中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印 |
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2008年３月 |
京都市伏見区に第二研究開発棟を開設 |
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2008年10月 |
台湾に保守サービスのための現地法人「莎姆克股份有限公司」を設立 |
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2009年１月 |
「莎姆克股份有限公司」が営業を開始 |
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2010年４月 |
ジャスダック証券取引所と大阪証券取引所の合併に伴い、大阪証券取引所ＪＡＳＤＡＱ市場（2013年７月より東京証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード））に上場 |
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2010年８月 |
米国ノースカロライナ州に米国東部事務所を開設（2014年５月にニューヨーク州へ移転、2017年１月にニュージャージー州へ移転） |
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2010年９月 |
中国北京市に北京事務所を開設 |
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2013年７月 |
東京証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード）から市場第二部へ市場変更 |
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2013年10月 |
ＳｉＣパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置ＲＩＥ－６００ⅰＰＣの開発、販売を開始 |
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2013年11月 |
ＭＥＭＳ向け本格量産用ドライエッチング装置ＲＩＥ－８００ⅰＰＢＣの開発、販売を開始 |
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2014年１月 |
東京証券取引所市場第二部から同第一部銘柄に指定 |
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2014年５月 |
リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.を子会社化（samco-ucp AGに社名変更） |
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2015年９月 |
公募増資により資本金を1,663,687千円に増資 |
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2015年12月 |
スウェーデンEpiluvac ABとＳｉＣエピタキシャル成膜装置の販売代理店契約を締結 電子デバイス向け原子層堆積装置ＡＬ－１の開発、販売を開始 |
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2016年６月 |
第二生産技術棟（京都市伏見区）が完成 |
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2016年８月 |
マレーシアにマレーシア事務所を開設 |
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2016年９月 |
Aqua Plasmaを用いたプラズマ洗浄装置ＡＱ－２０００の開発、販売を開始 |
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2018年12月 |
ドライエッチング装置ＲＩＥ－２００ｉＰＮの開発、販売を開始 |
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2020年７月 |
第二生産技術棟内にＣＶＤ装置のデモルームを開設 |
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2021年１月 |
新型コロナウイルス不活化技術を完成 |
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2021年12月 |
電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターＨTM」の販売を開始 |
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2022年３月 |
第二研究開発棟内にナノ薄膜開発センターを立ち上げ |
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2022年４月 |
東京証券取引所の市場区分の見直しにより、東京証券取引所市場第一部からプライム市場へ移行 |
３【事業の内容】
当社は、半導体等電子部品製造装置メーカーで、薄膜形成・加工装置の製造及び販売を事業としております。
当社の製品は、薄膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition＝化学的気相成長）装置、薄膜を微細加工するエッチング装置、基板表面などをクリーニングする洗浄装置、その他装置等に区分されます。
（１）各々の装置分類毎の概要は次のとおりであります。
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装置区分 |
概 要 |
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ＣＶＤ装置 |
反応性の気体を基板上に供給し、化学反応によって薄膜を形成する装置で、一般に半導体、電子部品製造のための半導体膜、絶縁膜、金属膜などを形成するために使われます。当社が開発したＬＳ（Liquid Source）－ＣＶＤ装置では、引火爆発性のあるガスを使用せず安全性に優れた液体原料を用いて、低温で均一性に優れた薄膜を高速で形成することが可能であります。 2015年12月から販売を開始した原子層堆積装置（ＡＬＤ＝Atomic Layer Deposition）はＣＶＤ装置に分類しております。ＡＬＤ装置は、反応室に有機金属原料と酸化剤を交互に供給し、表面反応のみを利用して成膜を行う装置であり、高い膜厚制御性と良好な段差被覆性を実現することが可能であります。 |
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エッチング装置 |
各種半導体基板上の半導体薄膜、絶縁膜をはじめ微細加工が必要な材料をドライ加工する装置で、反応性の気体をプラズマ分解し、目的物と反応させて蝕刻いたします。当社独自のトルネードＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma＝高密度プラズマ）を利用するエッチング装置では、高密度プラズマを安定して生成し、高速で高精度の微細加工が可能であります。 |
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洗浄装置 |
実装基板や各種半導体基板などを溶液を用いずドライ洗浄する装置で、減圧下で反応性の気体をプラズマ放電させて処理する装置や紫外線と高濃度オゾンの併用で処理する装置などがあります。当社のドライ洗浄装置は、ウエット洗浄では難しい超精密洗浄を高効率で行うことが可能であります。 2016年９月より販売を開始した水蒸気（H2O）を用いたプラズマ処理装置であるAqua Plasma（アクアプラズマ）洗浄装置は、金属酸化膜の還元、有機汚れの洗浄、樹脂接合、超親水化などの表面処理を、安全で環境に優しく行うことが可能であります。 |
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その他装置 |
上記装置には含まれない特別な装置であります。 |
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部品・メンテナンス |
部品、保守メンテナンスなどであります。 |
（２）当社事業の用途別区分は次のとおりであります。
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用 途 |
概 要 |
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オプトエレクトロニクス分野 |
主に化合物半導体から作られるＬＥＤ（Light Emitting Diode＝発光ダイオード）やマイクロＬＥＤ、ＬＤ（Laser Diode＝半導体レーザー）、面発光レーザー（VCSEL）などの発光デバイスのほか、電気信号を光信号に変換したり、逆に光信号を電気信号に変換したりする光通信用デバイスなどに関する分野であります。 |
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電子部品分野 |
パワーデバイス・高周波デバイス・各種センサー・ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems＝微小電気機械素子）・ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave＝弾性表面波）デバイス・量子デバイスなどに関する分野であります。 |
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シリコン分野 |
三次元ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）・三次元パッケージやウェハー欠陥解析などに関する分野であります。 |
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実装・表面処理分野 |
ＩＣのパッケージングの洗浄や表面処理に関する分野であります。高密度実装に対応するために基板はますます小型化、薄型化、多ピン化しており、高度な洗浄機能が要求されております。 |
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表示デバイス分野 |
有機ＥＬ（Electro Luminescence）、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display＝液晶表示素子）、ＶＲ（Virtual Reality）ディスプレイなどに関する分野であります。 |
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その他分野 |
上記以外の分野であります。 |
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部品・メンテナンス |
部品・メンテナンスに関する分野であります。 |
当社の装置の製造に関しては、自社の設計企画により協力会社に製造を委託し、製品出荷の前に独自のプログラムソフトを入力し、仕様検査・出荷検査を経て販売しております。販売に関しては営業所を通じて行うとともに、海外については一部現地販売代理店に委託しております。
当社は、半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであり、以上述べた関係を図示すると次のとおりであります。
（業態系統図）
（注）台湾を中心とする保守サービス業務は現地法人「莎姆克股份有限公司」へ委託しております。
４【関係会社の状況】
該当事項はありません。
５【従業員の状況】
(1）提出会社の状況
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（2023年７月31日現在） |
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従業員数（人） |
平均年齢（歳） |
平均勤続年数（年） |
平均年間給与（円） |
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( |
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（注）１．従業員数は就業人員（当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含むほか、嘱託を含んでおります。）であり、臨時雇用者数（パートタイマー、人材会社からの派遣社員、季節工を含む。）は、年間の平均人員を（ ）外数で記載しております。
２．平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。
３．当社は常時雇用する労働者が101人以上300人以下であるため、管理職に占める女性労働者の割合、男性の育児休業取得率、男女間賃金格差について、「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律（平成27年法律第64号）（女性活躍推進法）」及び「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律（平成３年法律第76号）（育児・介護休業法）」の規定による公表をしておらず、それらの数値について本報告書において記載しておりません。
４．当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるためセグメント毎の記載はしておりません。
(2）労働組合の状況
労働組合は結成されておりませんが、労使関係は円満に推移しております。