第一部 【企業情報】
第１ 【企業の概況】
１ 【主要な経営指標等の推移】
(1) 連結経営指標等
回次 | 第34期 | 第35期 | 第36期 | 第37期 | 第38期 | |
決算年月 | 平成24年１月 | 平成25年１月 | 平成26年１月 | 平成27年１月 | 平成28年１月 | |
売上高 | （千円） | |||||
経常利益 | （千円） | |||||
当期純利益 | （千円） | |||||
包括利益 | （千円） | |||||
純資産額 | （千円） | |||||
総資産額 | （千円） | |||||
１株当たり純資産額 | （円） | |||||
１株当たり当期純利益 | （円） | |||||
潜在株式調整後 | （円） | |||||
自己資本比率 | （％） | |||||
自己資本利益率 | （％） | |||||
株価収益率 | （倍） | |||||
営業活動による | （千円） | |||||
投資活動による | （千円） | △ | ||||
財務活動による | （千円） | |||||
現金及び現金同等物の期末残高 | （千円） | |||||
従業員数 | （名） | |||||
〔 | 〔 | 〔 | 〔 | 〔 | ||
(注）１ 売上高には、消費税等は含まれておりません。
２ 従業員数は、就業人員であり従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。
３ 当社は、平成24年４月において唯一の連結子会社でありましたTCLC, INC.の清算手続きが完了したため、第35期より連結財務諸表を作成しておりません。従って、第35期以降の連結会計年度に係る主要な経営指標等の推移については記載しておりません。
(2) 提出会社の経営指標等
回次 | 第34期 | 第35期 | 第36期 | 第37期 | 第38期 | |
決算年月 | 平成24年１月 | 平成25年１月 | 平成26年１月 | 平成27年１月 | 平成28年１月 | |
売上高 | （千円） | |||||
経常利益 | （千円） | |||||
当期純利益 | （千円） | |||||
持分法を適用した | （千円） | |||||
資本金 | （千円） | |||||
発行済株式総数 | （株） | |||||
純資産額 | （千円） | |||||
総資産額 | （千円） | |||||
１株当たり純資産額 | （円） | |||||
１株当たり配当額（内、１株当たり中間配当額） | （円） | |||||
（ | （ | （ | （ | （ | ||
１株当たり当期純利益 | （円） | |||||
潜在株式調整後 | （円） | |||||
自己資本比率 | （％） | |||||
自己資本利益率 | （％） | |||||
株価収益率 | （倍） | |||||
配当性向 | （％） | |||||
営業活動による | （千円） | △ | ||||
投資活動による | （千円） | △ | △ | △ | △ | |
財務活動による | （千円） | △ | ||||
現金及び現金同等物の | （千円） | |||||
従業員数 | （名） | |||||
〔 | 〔 | 〔 | 〔 | 〔 | ||
(注）１ 売上高には、消費税等は含まれておりません。
２ 従業員数は、就業人員であり従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。
３ 第34期まで連結財務諸表を作成しておりますので、第34期の持分法を適用した場合の投資利益、営業活動によるキャッシュ・フロー、投資活動によるキャッシュ・フロー、財務活動によるキャッシュ・フロー並びに現金及び現金同等物の期末残高は記載しておりません。
４ 第36期以降の持分法を適用した場合の投資利益については、関連会社の損益等からみて重要性が乏しいため記載しておりません。
２ 【沿革】
年 月 | 概 要 |
昭和53年12月 | 無機化学工業製品の製造・精製・販売を目的として神奈川県相模原市(現神奈川県相模原市中央区)に㈱トリケミカル研究所(資本金2,500千円)を設立 |
昭和54年12月 | 光ファイバー用原材料における水分（OH基）の除去に成功、供給を開始 |
昭和57年８月 | 光ファイバー用硼素原材料としての三塩化硼素の合成に成功、供給を開始 |
昭和58年２月 | 三塩化硼素の量産化に成功、半導体用エッチング材料として半導体業界への供給を開始 |
昭和59年３月 | 本社工場を神奈川県愛甲郡愛川町に移転 |
昭和59年９月 | 化合物半導体材料としての高純度三塩化砒素の供給を開始 |
平成６年１月 | 東京都江東区(後に東京都港区に移転)に臭化水素製造の目的でテイサン㈱(現日本エア・リキード㈱)との合弁で関連会社㈱エッチ・ビー・アールを設立 |
平成６年11月 | 本社工場を山梨県北都留郡上野原町(現山梨県上野原市)に移転 |
平成８年３月 | 大阪府吹田市に関西営業所を開設 |
平成12年10月 | 本社工場にて「ISO9001」を取得 |
平成16年12月 | 台湾新竹縣竹北市に台湾支店を開設 |
平成19年８月 | ㈱大阪証券取引所 ニッポン・ニュー・マーケット―「ヘラクレス」に上場 |
平成20年７月 | 本社工場にて「ISO14001」を取得 |
平成20年11月 | 山梨県上野原市に上野原第二工場を建設 |
平成22年10月 | 大阪証券取引所ヘラクレス市場、同取引所ＪＡＳＤＡＱ市場及び同取引所ＮＥＯ市場の各市場の統合に伴い、大阪証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード）に株式を上場 |
平成23年６月 | 上野原第二工場にて「ISO14001」を取得 |
平成23年11月 | 上野原第二工場にて「ISO9001」を取得 |
平成25年７月 | 東京証券取引所と大阪証券取引所の現物市場の統合に伴い、東京証券取引所ＪＡＳＤＡＱ（スタンダード）に株式を上場 |
平成25年12月 | 大韓民国城南市に韓国事務所を開設 |
３ 【事業の内容】
当社グループの事業は、半導体等製造用高純度化学化合物事業並びにこれらの付帯業務の単一セグメントであります。
当事業年度中において、従来当社のその他の関係会社であったJSR㈱との資本業務提携を解消したことにより、同社は当社のその他の関係会社ではなくなりました。その結果、当社グループは当社及び関連会社㈱エッチ・ビー・アールにより構成されており、相互に連携を保ちながら当社は主として半導体メーカー向けの高純度化学薬品の開発・製造・販売を行っております。
関連会社㈱エッチ・ビー・アールはテイサン㈱（現日本エア・リキード㈱）との合弁で設立された会社であり、当社の主力製品であります臭化水素の製造・販売を行っております。
半導体デバイス製造においては、シリコンのウェハ(注１)上に複雑な電子回路を構成するため、多様な工程を経て作られております。この工程はウェハプロセスと呼ばれておりますが、その中の様々な場面で、化学反応を利用した加工がなされており、当社の製品は主にウェハの表面上に薄膜を化学反応を用いて堆積させる「CVD」、薄膜の不必要な部分を腐食させて削り取る「エッチング」、ウェハ上にトランジスタ(注２)やダイオード(注３)等を作るためにウェハの内部に不純物を注入させる「拡散」といった多岐にわたる工程において用いられております。
また、これらに供される材料は、半導体デバイスの微細化に伴い、製造プロセス変更や材料の持つ特性の限界、化学物質を取り巻く法規制の強化等の要因により、それまで使用されていた材料から新しい材料への変遷が行われることもあります。当社グループは、この材料変更の要求に対し、材料工学・応用化学の観点から常に新しい材料の開発・提案を行い新材料の供給を行っております。
設立当初は光ファイバー製造に供される高純度材料の供給を行うことで成長を遂げてまいりましたが、現在では同様な材料を使用し、ニーズの変化が常に起こる半導体製造用材料や、デバイスの原理的に半導体と共通点の多い太陽電池製造用材料の供給が主力となっております。また、高純度材料や新規化学材料の試作依頼など開発に供される材料の開発・販売も同様に事業の一部となっております。
(注)１：ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い基板。シリコン製のものが多く、これを特に「シリコンウェハ」と呼びます。
２：増幅機能を持った半導体素子であります。
３：片方向にのみ電流を流す性質を持った半導体素子であります。
事業系統図は、次のとおりであります。
製品事業
当社が、開発・製造・販売している主な半導体・太陽電池向け製品は、主に以下の３種類であり、また、製品製造・開発の過程において、当社の得意とする以下の４つの作業を付加することにより製品の高付加価値化を図り、他社との差別化を図ります。
＜製品種類＞
① CVD材料
② ドライエッチング材料
③ 拡散材料
＜付加作業の種類＞
① 化学薬品用容器の設計販売（化学関連法規などをクリアーした化学薬品輸送用タンクの設計及び販売）
② 化学薬品の受託合成（新規薬品の受託合成）
③ 受託実験（共同開発高純度化学薬品の開発並びに薬品を用いたCVDに関わる受託実験）
④ その他付帯サービス（化学薬品の物性調査や分析などのサービス）
①CVD材料
CVD（Chemical Vapor Deposition:化学気相成長）法とは、化学材料の蒸気を熱などにより分解しウェハ上に堆積させる技術であり、CVD材料とはその際に用いられる化学材料を指します。堆積させる薄い膜は絶縁膜や金属・導体膜・半導体膜であり、使用される材料は多岐にわたっております。
また、半導体の微細化・高性能化を進めるために、従来の製法・材料では解決できない電気的な問題を解決するための誘電率の低い膜が得られる(low－k)材料や逆に誘電率の高い膜が得られる(high－k)材料・物理的な問題を解決するための金属窒化膜材料などといった新たなニーズに対応するための材料をいち早く提案し、安定供給するのが当社の特長であります。
②ドライエッチング材料
主に腐食による化学反応により、CVD法で堆積させた膜等の不要な部分を削り取り、ウェハ表面を凹凸に加工する技術であります。このプロセスに供される材料は、従前は特定フロン(注)に代表される材料を使用しておりましたが、環境問題や半導体の微細化により変わりつつあります。微細化が進むとCVD法等で使用される薄膜の材料も変更されることから、ドライエッチングに使用される化学材料も変更されます。当社グループの主力製品の１つである臭化水素（化学式：HBr）は環境問題・微細化といった問題をクリアーする材料であり、その需要は増大しております。
(注)：オゾン層保護のため国際条約により規制の対象となっているフロン。
③拡散材料
ウェハ上などにトランジスタを形成する際、不純物を注入する技術があります。イオン打ち込み法(注１)と熱拡散法(注２)の２種類がありますが、いずれも不純物を注入するということでは同様であります。
ここで使用される材料は、周期律表のⅣ族(注３)元素であるシリコンの持つ性質を変えることが求められるため、性質の異なる不純物である必要があります。具体的にひとつはⅢ族(注３)の元素であるホウ素・ガリウム・インジウムなどで、もうひとつはⅤ族(注３)の元素であるリン・ヒ素・アンチモンなどであります。
また、光ファイバーでも同様に光の拡散を制御する目的でゲルマニウムに代表される不純物を使用しております。
当社では、これらに関わる材料を多様にラインナップするとともに、材料の性質や顧客の細かな要求に対応した容器に封入し出荷しております。また、既存製品の単なる販売にとどまらず、新規化学薬品の受託合成や、当社製品を顧客が実際に使用する条件下で性質・性能等の評価を行なう各種受託実験も行なっており、これが当社の大きな特長となっております。
(注)１：原子をイオン化して加速し、固体中に打ち込む方法。
２：熱的な方法で原子を固体中に注入する方法。
３：元素の周期律表の縦列に並ぶものは概ね性質が類似しており、Ⅰ～Ⅷまでの族に分類されます。
４ 【関係会社の状況】
名称 | 住所 | 資本金又は | 主要な事業 | 議決権の | 関係内容 |
(関連会社) |
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㈱エッチ・ビー・アール | 東京都港区 | 30 | 臭化水素の製造・販売 | 49.0 | 当社主力商品である臭化水素の製造、当社よりの役務の提供、テイサン㈱(現日本エア・リキード㈱)との合弁で設立 |
５ 【従業員の状況】
(1) 提出会社の状況
平成28年１月31日現在
従業員数(名) | 平均年齢(歳) | 平均勤続年数(年) | 平均年間給与(千円) |
121〔13〕 | 36.5 | 10.0 | 7,006 |
(注) １ 従業員数は就業人員であります。
２ 従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。
３ 前事業年度末に比べ従業員数が11名増加しております。主な理由は、業容の拡大に伴い期中採用が増加したことによるものであります。
４ 平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。
５ 当社の事業は、半導体等製造用高純度化学化合物事業並びにこれらの付帯業務の単一セグメントであるため、セグメント別の従業員数の記載を省略しております。
(2) 労働組合の状況
当社には労働組合はありません。
なお、労使関係については円滑な関係にあり、特記すべき事項はありません。