第一部 【企業情報】

 

第1 【企業の概況】

 

1 【主要な経営指標等の推移】

(1) 連結経営指標等

 

回次

第37期

第38期

第39期

第40期

第41期

決算年月

2015年1月

2016年1月

2017年1月

2018年1月

2019年1月

売上高

(千円)

7,792,295

経常利益

(千円)

2,931,680

親会社株主に帰属する
当期純利益

(千円)

2,267,222

包括利益

(千円)

2,173,166

純資産額

(千円)

7,025,785

総資産額

(千円)

11,112,931

1株当たり純資産額

(円)

899.37

1株当たり当期純利益

(円)

290.23

潜在株式調整後
1株当たり当期純利益

(円)

自己資本比率

(%)

63.2

自己資本利益率

(%)

37.7

株価収益率

(倍)

16.1

営業活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

1,411,291

投資活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

1,244,626

財務活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

269,826

現金及び現金同等物
の期末残高

(千円)

1,595,747

従業員数
〔ほか、平均臨時雇用者数〕

(名)

148

―〕

―〕

―〕

―〕

18

 

(注) 1 第41期より連結財務諸表を作成しているため、それ以前については記載しておりません。

2 売上高には、消費税等は含まれておりません。

3 従業員数は、就業人員であり従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。

4  第41期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式が存在しないため記載しておりません。

 

 

 

(2) 提出会社の経営指標等

 

回次

第37期

第38期

第39期

第40期

第41期

決算年月

2015年1月

2016年1月

2017年1月

2018年1月

2019年1月

売上高

(千円)

4,103,274

4,956,758

5,469,985

6,445,728

7,793,177

経常利益

(千円)

426,089

693,539

975,492

1,622,799

2,087,857

当期純利益

(千円)

360,671

473,220

767,305

1,145,658

1,473,460

持分法を適用した
場合の投資損失(△)

(千円)

108,193

資本金

(千円)

783,872

805,392

808,912

808,912

808,912

発行済株式総数

(株)

7,578,160

7,780,160

7,812,160

7,812,160

7,812,160

純資産額

(千円)

2,911,264

3,375,239

4,071,154

5,089,254

6,390,464

総資産額

(千円)

5,245,019

5,991,684

7,055,179

9,032,275

10,419,383

1株当たり純資産額

(円)

384.17

433.83

521.14

651.47

818.05

1株当たり配当額(内、1株当たり中間配当額)

(円)

7

10

16

21

45

―)

―)

―)

―)

―)

1株当たり当期純利益

(円)

49.45

61.77

98.30

146.65

188.62

潜在株式調整後
1株当たり当期純利益

(円)

48.01

60.88

自己資本比率

(%)

55.5

56.3

57.7

56.3

61.3

自己資本利益率

(%)

13.3

15.1

20.6

25.0

25.7

株価収益率

(倍)

12.1

8.8

25.1

34.1

24.7

配当性向

(%)

14.2

16.2

16.3

14.3

23.9

営業活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

369,828

504,927

1,483,868

1,135,242

投資活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

339,924

610,460

1,009,276

1,536,384

財務活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

358,263

146,414

190,226

38,732

現金及び現金同等物の
期末残高

(千円)

792,195

830,886

1,495,821

1,134,240

従業員数
〔ほか、平均臨時雇用者数〕

(名)

110

121

130

134

138

11

13

16

18

18

 

(注)1  売上高には、消費税等は含まれておりません。

2  第39期から第41期までの潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式が存在しないため記載しておりません。

3  従業員数は、就業人員であり従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。

4  第39期以前の持分法を適用した場合の投資利益については、関連会社の損益等からみて重要性が乏しいため記載しておりません。

5  第41期より連結財務諸表を作成しているため、第41期の持分法を適用した場合の投資利益、営業活動によるキャッシュ・フロー、投資活動によるキャッシュ・フロー、財務活動によるキャッシュ・フロー及び現金及び現金同等物の期末残高は記載しておりません。

 

2 【沿革】

 

年  月

概          要

1978年12月

無機化学工業製品の製造・精製・販売を目的として神奈川県相模原市(現神奈川県相模原市中央区)に㈱トリケミカル研究所(資本金2,500千円)を設立

1979年12月

光ファイバー用原材料における水分(OH基)の除去に成功、供給を開始

1982年8月

光ファイバー用硼素原材料としての三塩化硼素の合成に成功、供給を開始

1983年2月

三塩化硼素の量産化に成功、半導体用エッチング材料として半導体業界への供給を開始

1984年3月

本社工場を神奈川県愛甲郡愛川町に移転

1984年9月

化合物半導体材料としての高純度三塩化砒素の供給を開始

1994年1月

東京都江東区(後に東京都港区に移転)に臭化水素製造の目的でテイサン㈱(現日本エア・リキード㈱)との合弁で関連会社㈱エッチ・ビー・アールを設立

1994年11月

本社工場を山梨県北都留郡上野原町(現山梨県上野原市)に移転

2000年10月

本社工場にて「ISO9001」を取得

2004年12月

台湾新竹縣竹北市に台湾支店を開設

2007年8月

㈱大阪証券取引所  ニッポン・ニュー・マーケット―「ヘラクレス」に上場

2008年7月

本社工場にて「ISO14001」を取得

2008年11月

山梨県上野原市に上野原第二工場を建設

2010年10月

大阪証券取引所ヘラクレス市場、同取引所JASDAQ市場及び同取引所NEO市場の各市場の統合に伴い、大阪証券取引所JASDAQ(スタンダード)に株式を上場

2011年6月

上野原第二工場にて「ISO14001」を取得

2011年11月

上野原第二工場にて「ISO9001」を取得

2013年7月

東京証券取引所と大阪証券取引所の現物市場の統合に伴い、東京証券取引所JASDAQ(スタンダード)に株式を上場

2013年12月

大韓民国城南市(後に水原市に移転)に韓国事務所を開設

2016年7月

大韓民国世宗特別自治市に同国における半導体用次世代材料の開発、製造及び販売の目的で、SK Materials Co., Ltd.との合弁で関連会社SK Tri Chem Co., Ltd.を設立

2017年3月

台湾新竹縣竹北市に100%子会社の三化電子材料股份有限公司を設立

2018年1月

東京証券取引所市場第一部へ市場変更

 

 

3 【事業の内容】

当社グループの事業は、半導体等製造用高純度化学化合物事業並びにこれらの付帯業務の単一セグメントであります。

当社グループは、当社、連結子会社(三化電子材料股份有限公司)、持分法適用関連会社(SK Tri Chem Co., Ltd.及び㈱エッチ・ビー・アール)の4社で構成されております。

連結子会社三化電子材料股份有限公司は、台湾での高純度化学化合物の開発・製造・販売を行うことを目的として設立された会社であります。

関連会社SK Tri Chem Co., Ltd.はSK Materials Co., Ltd.との合弁で設立された会社であり、韓国における高純度化学薬品の開発・製造・販売を行っております。

関連会社㈱エッチ・ビー・アールはテイサン㈱(現日本エア・リキード㈱)との合弁で設立された会社であり、当社グループの主力製品であります臭化水素の製造・販売を行っております。

当社と連結子会社、及び関連会社2社は相互に連携を保ちながら、主として半導体メーカー向けの高純度化学薬品の開発・製造・販売を行っております。

 

半導体デバイス製造においては、シリコンのウェハ(注1)上に複雑な電子回路を構成するため、多様な工程を経て作られております。この工程はウェハプロセスと呼ばれておりますが、その中の様々な場面で、化学反応を利用した加工がなされており、当社グループの製品は主にウェハの表面上に薄膜を化学反応を用いて堆積させる「CVD」、薄膜の不必要な部分を腐食させて削り取る「エッチング」、ウェハ上にトランジスタ(注2)やダイオード(注3)等を作るためにウェハの内部に不純物を注入させる「拡散」といった多岐にわたる工程において用いられております。

また、これらに供される材料は、半導体デバイスの微細化に伴い、製造プロセス変更や材料の持つ特性の限界、化学物質を取り巻く法規制の強化等の要因により、それまで使用されていた材料から新しい材料への変遷が行われることもあります。当社グループは、この材料変更の要求に対し、材料工学・応用化学の観点から常に新しい材料の開発・提案を行い新材料の供給を行っております。

設立当初は光ファイバー製造に供される高純度材料の供給を行うことで成長を遂げてまいりましたが、現在では同様な材料を使用し、ニーズの変化が常に起こる半導体製造用材料や、デバイスの原理的に半導体と共通点の多い太陽電池製造用材料の供給が主力となっております。また、高純度材料や新規化学材料の試作依頼など開発に供される材料の開発・販売も同様に事業の一部となっております。

(注)1:ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い基板。シリコン製のものが多く、これを特に「シリコンウェハ」と呼びます。

2:増幅機能を持った半導体素子であります。

3:片方向にのみ電流を流す性質を持った半導体素子であります。

 

 

事業系統図は、次のとおりであります。 


 

製品事業

当社グループが、開発・製造・販売している主な半導体・太陽電池向け製品は、主に以下の3種類であり、また、製品製造・開発の過程において、当社グループの得意とする以下の4つの作業を付加することにより製品の高付加価値化を図り、他社との差別化を図ります。

<製品種類>

①  CVD材料

②  ドライエッチング材料

③  拡散材料

<付加作業の種類>

①  化学薬品用容器の設計販売(化学関連法規などをクリアーした化学薬品輸送用タンクの設計及び販売)

②  化学薬品の受託合成(新規薬品の受託合成)

③  受託実験(共同開発高純度化学薬品の開発並びに薬品を用いたCVDに関わる受託実験)

④  その他付帯サービス(化学薬品の物性調査や分析などのサービス)

 

①CVD材料

CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法とは、化学材料の蒸気を熱などにより分解しウェハ上に堆積させる技術であり、CVD材料とはその際に用いられる化学材料を指します。堆積させる薄い膜は絶縁膜や金属・導体膜・半導体膜であり、使用される材料は多岐にわたっております。

また、半導体の微細化・高性能化を進めるために、従来の製法・材料では解決できない電気的な問題を解決するための誘電率の低い膜が得られる(low-k)材料や逆に誘電率の高い膜が得られる(high-k)材料・物理的な問題を解決するための金属窒化膜材料などといった新たなニーズに対応するための材料をいち早く提案し、安定供給するのが当社グループの特長であります。

 

②ドライエッチング材料

主に腐食による化学反応により、CVD法で堆積させた膜等の不要な部分を削り取り、ウェハ表面を凹凸に加工する技術であります。このプロセスに供される材料は、従前は特定フロン(注)に代表される材料を使用しておりましたが、環境問題や半導体の微細化により変わりつつあります。微細化が進むとCVD法等で使用される薄膜の材料も変更されることから、ドライエッチングに使用される化学材料も変更されます。当社グループの主力製品の1つである臭化水素(化学式:HBr)は環境問題・微細化といった問題をクリアーする材料であり、その需要は増大しております。

 

(注):オゾン層保護のため国際条約により規制の対象となっているフロン。

 

③拡散材料

ウェハ上などにトランジスタを形成する際、不純物を注入する技術があります。イオン打ち込み法(注1)と熱拡散法(注2)の2種類がありますが、いずれも不純物を注入するということでは同様であります。

ここで使用される材料は、周期律表のⅣ族(注3)元素であるシリコンの持つ性質を変えることが求められるため、性質の異なる不純物である必要があります。具体的にひとつはⅢ族(注3)の元素であるホウ素・ガリウム・インジウムなどで、もうひとつはⅤ族(注3)の元素であるリン・ヒ素・アンチモンなどであります。

また、光ファイバーでも同様に光の拡散を制御する目的でゲルマニウムに代表される不純物を使用しております。

 

当社グループでは、これらに関わる材料を多様にラインナップするとともに、材料の性質や顧客の細かな要求に対応した容器に封入し出荷しております。また、既存製品の単なる販売にとどまらず、新規化学薬品の受託合成や、当社グループの製品を顧客が実際に使用する条件下で性質・性能等の評価を行う各種受託実験も行っており、これが当社グループの大きな特長となっております。

 

(注)1:原子をイオン化して加速し、固体中に打ち込む方法。

2:熱的な方法で原子を固体中に注入する方法。

3:元素の周期律表の縦列に並ぶものは概ね性質が類似しており、Ⅰ~Ⅷまでの族に分類されます。

 

 

4 【関係会社の状況】

 

名称

住所

資本金又は
出資金

主要な事業
の内容

議決権の
所有
〔被所有〕
割合(%)

関係内容

(連結子会社)

 

 

 

 

 

三化電子材料股份有限公司

(注)

台湾

新竹縣竹北市

百万台湾

ドル

100

台湾における高純度化学薬品の開発・製造及び販売

100.0

当社よりの役務の提供及び製品の販売

役員の兼任 4名

(持分法適用関連会社)

 

 

 

 

 

SK Tri Chem Co., Ltd.

大韓民国
世宗特別自治市

百万韓国
ウォン

25,000

 

韓国における高純度化学薬品の開発・製造及び販売

35.0

当社よりの役務の提供及び製品の販売、SK Materials Co., Ltd.との合弁で設立
役員の兼任  2名

(持分法適用関連会社)

 

 

 

 

 

㈱エッチ・ビー・アール

東京都港区

百万円

30

 

臭化水素の製造・販売

49.0

当社グループの主力商品である臭化水素の製造、当社よりの役務の提供、テイサン㈱(現日本エア・リキード㈱)との合弁で設立
役員の兼任  2名

 

(注) 特定子会社であります。

 

5 【従業員の状況】

(1) 連結会社の状況

2019年1月31日現在

従業員数(名)

148

〔18〕

 

(注) 1 従業員数は就業人員であります。

2 従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。

3 当社グループの事業は、半導体等製造用高純度化学化合物事業並びにこれらの付帯業務の単一セグメントであるため、セグメント別の従業員の記載を省略しております。

 

(2) 提出会社の状況

2019年1月31日現在

従業員数(名)

平均年齢(歳)

平均勤続年数(年)

平均年間給与(千円)

 

138〔18〕

 35.3

 10.0

7,424

 

(注) 1  従業員数は就業人員であります。

2  従業員数欄の〔外書〕は、臨時従業員の年間平均雇用人員であります。

3  平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。

4 当社の事業は、半導体等製造用高純度化学化合物事業並びにこれらの付帯業務の単一セグメントであるため、セグメント別の従業員の記載を省略しております。

 

(3) 労働組合の状況

当社グループには労働組合はありません。

なお、労使関係については円滑な関係にあり、特記すべき事項はありません。