第一部【企業情報】

第１【企業の概況】

１【主要な経営指標等の推移】

(1）連結経営指標等

回次

第８期

第９期

第10期

第11期

第12期

決算年月

平成25年３月

平成26年３月

平成27年３月

平成28年３月

平成29年３月

売上高

(千円)

21,306,278

21,668,747

21,303,665

22,731,110

18,812,783

経常利益

(千円)

101,234

783,349

1,306,015

2,555,391

2,539,876

親会社株主に帰属する
当期純利益又は
親会社株主に帰属する
当期純損失（△）

(千円)

500,067

61,194

△477,337

465,909

1,290,206

包括利益

(千円)

1,078,679

619,998

772,360

215,538

2,677,998

純資産額

(千円)

22,237,605

22,671,650

23,591,892

23,653,772

27,268,922

総資産額

(千円)

35,542,576

33,514,398

35,324,689

35,834,113

46,330,642

１株当たり純資産額

（円）

2,165.57

2,185.93

2,193.96

2,200.08

2,371.64

１株当たり当期純利益金額又は１株当たり当期純損失金額（△）

(円)

53.87

6.59

△51.42

50.19

139.00

潜在株式調整後
１株当たり当期純利益金額

(円)

－

－

－

－

－

自己資本比率

(％)

56.6

60.5

57.7

57.0

47.5

自己資本利益率

(％)

2.5

0.3

－

2.3

6.1

株価収益率

(倍)

18.19

165.66

－

15.80

11.22

営業活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

7,543,539

8,178,504

6,238,215

6,616,539

6,478,309

投資活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

△2,896,902

△3,653,759

△6,597,153

△7,091,290

△11,670,895

財務活動による
キャッシュ・フロー

(千円)

△4,260,312

△2,757,118

△783,745

772,726

7,602,270

現金及び現金同等物の
期末残高

(千円)

6,043,022

7,882,336

6,880,013

7,073,604

9,542,599

従業員数
(外、平均臨時雇用者数)

(人)

670

600

618

605

718

（131)

（101)

（104)

（135)

（189)

 

(注) １．売上高には消費税等は含まれておりません。

２．潜在株式調整後１株当たり当期純利益金額については、希薄化効果を有している潜在株式が存在しないため記載しておりません。

３．自己資本利益率については、親会社に帰属する当期純損失の場合は記載しておりません。

４．株価収益率については、第10期は、1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。

５．第10期は、特別損失として事業構造改善費用等を計上した結果、親会社に帰属する当期純損失となりました。

 

 

(2）提出会社の経営指標等

回次

第８期

第９期

第10期

第11期

第12期

決算年月

平成25年３月

平成26年３月

平成27年３月

平成28年３月

平成29年３月

売上高

(千円)

15,213,920

16,802,567

16,632,451

17,251,453

11,470,223

経常利益

(千円)

928,544

731,609

60,882

1,504,983

288,045

当期純利益又は
当期純損失（△）

(千円)

1,114,130

△148,994

△686,181

296,264

417,219

資本金

(千円)

11,823,312

11,823,312

11,823,312

11,823,312

11,823,312

発行済株式総数

(株)

9,282,500

9,282,500

9,282,500

9,282,500

9,282,500

純資産額

(千円)

19,618,391

19,469,358

18,931,058

19,262,887

19,644,499

総資産額

(千円)

28,775,273

27,658,617

26,286,194

25,652,836

25,338,624

１株当たり純資産額

(円)

2,113.49

2,097.45

2,039.46

2,071.38

2,116.33

１株当たり配当額

(うち１株当たり中間配当額)

(円)

－

－

－

－

－

（－)

（－)

（－)

（－)

（－)

１株当たり当期純利益金額又は１株当たり当期純損失金額（△）

(円)

120.03

△16.05

△73.92

31.92

44.95

潜在株式調整後
１株当たり当期純利益金額

(円)

－

－

－

－

－

自己資本比率

(％)

68.2

70.4

72.0

75.0

77.5

自己資本利益率

(％)

5.8

－

－

1.6

2.1

株価収益率

(倍)

8.17

－

－

24.85

34.71

配当性向

(％)

－

－

－

－

－

従業員数
(外、平均臨時雇用者数)

(人)

317

433

410

365

274

（102)

（101)

（88)

（78)

（72)

 

(注) １．売上高には消費税等は含まれておりません。

２．潜在株式調整後１株当たり当期純利益金額については、希薄化効果を有している潜在株式が存在しないため記載しておりません。

３．自己資本利益率については、当期純損失の場合は記載しておりません。

４．株価収益率については、第９期及び第10期は、1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。

５．第10期は、特別損失として事業構造改善費用等を計上した結果、当期純損失となりました。

６. 当社は第９期において、株式会社テラミクロス（連結子会社）を吸収合併しました。

 

２【沿革】

年月

事項

平成17年８月

東京都中央区に当社設立。資本金1,000万円。

平成17年９月

エルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）、Kingston Technology Japan, LLC、Powertech Technology Inc.及び株式会社アドバンテストを割当先とする第三者割当増資を実施。新資本金56億円。
産業活力再生特別措置法(注1)に基づく「経営資源再活用計画」の認定取得。

平成17年10月

広島事業所（広島県東広島市）にてDRAM(注2)のウエハテスト事業（現メモリ事業）(注3)を開始。
開発センター（神奈川県相模原市中央区）にてテスト技術等の開発受託事業（現メモリ事業）を開始。

平成18年５月

広島事業所にてエルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）以外のウエハテスト事業（現メモリ事業）を開始。

平成18年６月

広島事業所にてISO9001（品質マネジメントシステム）の認証取得。
熊本県葦北郡芦北町に九州事業所用地及び建物取得。

平成18年９月

九州事業所を開設。ロジック製品のファイナルテスト事業（現システムLSI事業）(注3)を開始。

平成18年11月

九州事業所にてロジック製品のウエハテスト事業（現システムLSI事業）を開始。

平成19年１月

九州事業所にてISO9001（品質マネジメントシステム）の認証取得。

平成19年３月

神奈川県横浜市港北区に本社・開発センターを移転。
産業活力再生特別措置法の上記認定の取消し(注4)、及び同法に基づく「事業再構築計画」の認定取得。
吸収分割により広島エルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）からウエハテスト事業（現メモリ事業）に関する設備・装置等を承継。新資本金96億円。

平成19年４月

DRAM以外の半導体受託拡大を目指し、九州事業所にＢ棟竣工。

平成19年９月

九州事業所Ｂ棟操業開始。

平成19年12月

ISO14001（環境マネジメントシステム）の認証取得。
ISO27001（情報セキュリティマネジメントシステム）の認証取得。

平成20年８月

台湾新竹縣に台湾における事業拡大を目的として、Powertech Technology Inc.と合弁で連結子会社TeraPower Technology Inc.を設立。

平成21年３月

エルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）の連結子会社となる。

平成21年７月

九州事業所内にデバイス開発・評価サービスを提供する目的でテストセンターを開設。

平成22年２月

事業部制を導入。メモリ事業部、システムLSI事業部を設置。

平成22年12月

東京証券取引所マザーズに株式を上場。
エルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）の持株比率低下により持分法適用会社となる。

平成23年10月

カシオ計算機株式会社より株式会社テラミクロス（現青梅エレクトロニクス株式会社）の全株式を取得、連結子会社として、ウエハレベルパッケージ（WLP）の受託を開始。

平成24年３月

OHS581214（労働安全衛生マネジメントシステム）の認証取得。

平成25年10月

株式会社テラミクロスを簡易合併し、青梅事業所（現青梅エレクトロニクス株式会社）とする。

平成26年２月

先行技術開発室（現システムソリューションセンター）を設置し、ソフトウェア開発及び要素技術開発を開始。

平成26年６月

本社・開発センター及び九州事業所にてISO/TS16949（自動車産業向け品質マネジメントシステム）の認証取得。

平成28年１月

システムソリューションセンター（熊本県熊本市）を開設。

平成28年１月

会津富士通セミコンダクターとの合弁会社、会津富士通セミコンダクタープローブ株式会社に出資。

平成28年４月

青梅事業所のウエハレベルパッケージに関する事業を、会社分割により青梅エレクトロニクス株式会社に承継し、同社の全株式をアオイ電子株式会社に譲渡。

平成29年２月

会津富士通セミコンダクタープローブ株式会社（現株式会社テラプローブ会津）への出資比率を100%に変更、連結子会社化。

 

(注) １．産業活力再生特別措置法：日本における経営資源の効率的な活用を通じて生産性の向上を実現するため、特別の措置として、事業者が実施する事業再構築、共同事業再編及び経営資源再活用を円滑化するための措置を雇用の安定等に配慮しつつ講じるとともに中小企業の活力の再生を支援するための措置を講じ、併せて事業者の経営資源の増大に資する研究活動の活性化等を図ることにより、日本産業の活力の再生を速やかに実現することを目的として平成11年に制定された法律です。

２．「３ 事業の内容 用語解説」をご参照ください。

３．「３ 事業の内容」をご参照ください。

４．広島エルピーダメモリ株式会社（現マイクロンメモリ ジャパン株式会社）からのウエハテスト承継の形態を、当初計画の営業譲渡から、吸収分割に変更したことに合わせた形で改めて認定を取得するため、平成17年９月に取得した認定の取り消しを受ける手続をとったものです。

 

３【事業の内容】

当社グループは、当社（株式会社テラプローブ）及び海外連結子会社（TeraPower Technology Inc. 以下「テラパワー」といいます。）及び連結子会社（株式会社テラプローブ会津）により構成されており、半導体製造工程におけるウエハテスト及びファイナルテスト受託を主たる業務としております。

一般的に半導体製造工程は、ウエハ(*1)上に半導体チップを作り込む前工程(*2)と、半導体チップを組立しパッケージングする後工程(*3)に分類されます。この前工程で行う検査をウエハテストといい、後工程で行う検査をファイナルテストといいます。当社グループでは、どちらのテスト工程も受託しております。

ウエハテストとは、ダイシング(*4)前のウエハ状態で、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの電気特性を検査し、良品・不良品の判別を行うものです。具体的には、回路が作り込まれたウエハ上の半導体チップにあるパッド(*5)の一つ一つに、プローブと呼ばれる細い探針を当てて電気信号を流し、半導体回路が設計どおりに機能しているかをテスタ(*6)、プローバ(*7)等の装置を用いて電気的に検査します。

さらに当社は、蓄積したノウハウを利用したプログラムの改良を提案し、顧客から支給されたテストプログラムを基に多数個同時測定用プログラムを開発したり、プローブカード(*8)設計を受託することなどによって、一回のテストでより多くの半導体チップを検査できるようにし、テスト効率を上げることで、顧客のウエハテストのコスト低減に貢献しております。

ファイナルテストとは、組立終了後のパッケージ状態で設計どおりに機能するかどうかの検査のほか、最終製品の外観異常の有無を検査するパッケージ外観検査などを含みます。

なお、当社グループではシステムソリューションセンター（熊本県熊本市）において、画像処理技術を応用したソフトウェア開発や、生体信号を使用したヒューマンインターフェース技術の研究を行っております。

　

当社グループの事業内容及び当社と関係会社の当該事業に係る位置付けは次のとおりであります。

　

(1) メモリ事業

当社グループのメモリ事業の主な業務はDRAM(*9)のウエハテスト業務の受託であり、主に広島事業所とテラパワーで行っております。当社グループは、日本国内の半導体メーカーや、海外の半導体メーカー、ファブレス等からウエハテストを受託しております。

一般的にウエハテストは、上記のように顧客から支給されたテストプログラムを使用して、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの電気特性をテストし、良品・不良品の判別を行い、その結果を顧客に提供して業務が完了します。これに加え、一部のメモリ向けには、ウエハ１枚からより多くの半導体チップを製品化できるように、半導体チップにレーザーを用いた加工を施すサービスの提供も行っております。

　

(2) システムLSI事業

当社グループのシステムLSI事業では、国内外の半導体メーカーやファンダリが生産したSoC(*10)、マイコン(*11)、イメージセンサ(*12)、アナログ(*13)などの半導体製品のウエハテスト業務の受託が中心で、その他にファイナルテスト業務も受託しており、主に九州事業所で行っております。また、テラパワーにおいてもSoC、マイコンのテスト業務を受託しております。さらに、九州事業所とテラパワーの双方において、自動車産業向け品質マネジメントシステム（ISO/TS16949）の認証を取得しており、日本と台湾の両拠点で高品質が要求される車載半導体のテスト受託を強化してまいります。

システムLSI事業におけるウエハテストも、一般的には顧客から支給されたテストプログラムを使用してテストし、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの特性について、良品・不良品の判別を行い、その結果を顧客に提供して業務が完了します。システムLSI事業における受託製品はメモリ事業と比較すると多品種少量生産の場合が多く、製品によりテスト機器やテスト環境が異なるなどの特徴があります。そのため顧客の様々なニーズに対応していく技術力と柔軟性が求められております。

また、青梅事業所では、MEMS(*14)センサやアナログなど、モバイル機器向けを中心にWLP・BUMPを受託しておりました。当社は、平成28年４月１日付で、青梅事業所のウエハレベルパッケージに関する事業を会社分割（新設分割）により新たに設立した青梅エレクトロニクス株式会社に承継させるとともに、同社の全株式をアオイ電子株式会社（香川県高松市）に譲渡しております。

　

 

［半導体製造工程］


(注) 上記工程図内のウエハテスト工程(6～10)は、メモリ製品のウエハテスト工程を記載しております。

　

以上に述べた事項を事業系統図に示すと次のとおりです。

　

［事業系統図］

平成29年３月31日現在


 

 

用語解説

(*1)ウエハ：ウエハは単結晶シリコンの塊（インゴット）から薄く切り出された円盤状のものの表面を研磨した薄い板で、半導体チップを製造するための直接材料となるものです。このウエハ上にトランジスタ、キャパシタ（電荷を蓄える部品：コンデンサ）、配線などを作り込み、電子回路を形成します。

直径は200mm（８インチ）、300mm（12インチ）が一般的で、大口径化するにつれウエハ１枚当たりから取れる半導体チップ数が多くなりコストダウンにつながります。半導体チップ面積が同じであれば、300mmウエハは200mmウエハの２倍程度のチップの生産が可能です。

　

(*2)前工程：一般的に半導体製造工程のうち、ウエハ上に半導体チップを作り込み、ウエハ状態で検査し、良品・不良品の判別をするまでの工程を指します。

　

(*3)後工程：一般的に半導体製造工程のうち、前工程以降の半導体チップをパッケージングし、個々の半導体デバイスを検査し、不良品を除去するまでの工程を指します。

　

(*4)ダイシング：ウエハ上に作られた半導体チップを、ダイヤモンド刃のカッターなどで個々の半導体チップに切り離すことを指します。

　

(*5)パッド：半導体チップ上に形成された端子（電極）を指します。この端子に探針（プローブ）を当て、半導体の電気特性を測定します。

　

(*6)テスタ：半導体の電気特性を検査するための装置です。テストプログラムに基づき、直流、交流特性並びに機能について検査を行います。

　

(*7)プローバ：プローブカードを装着し、テスタに接続して使用します。ウエハを１枚ずつ出し入れし、ウエハを移動しながら半導体チップのパッドにプローブを接触させる装置です。

　

(*8)プローブカード：ウエハテストにおいて、半導体チップの電気的検査をするために用いられる接続治具(探針）です。半導体チップのパッド(電極)とテスタとを接続する役割を持ち、パッドに探針(プローブ）を接触させることにより、半導体チップの電気的検査を行い良否判定をします。
半導体チップのパッド位置に合わせてプローブの配置も変わるため、製品毎に専用のプローブカードが必要となります。

　

(*9)DRAM（Dynamic Random Access Memory） : DRAMは、記憶単位が１個のトランジスタと１個のキャパシタ（電荷を蓄える部品：コンデンサ）で構成される半導体で、集積度に優れています。このためビット単価も安く、大容量のメモリを必要とするシステムを中心に使用されます。DRAMは情報をキャパシタに電荷で蓄えるため、微少の漏れ電流によって長時間放置すると情報が失われます。このため定期的に同一情報を再書き込みする必要があります。

　

(*10)SoC（System on Chip） : 一つの半導体チップ上に、必要とされる一連の機能（システム）を集積したものを指します。複数の機能を１チップ上に集積することで、基板上に複数の単機能LSIを実装するよりも機器自体の小型化が可能になるなどのメリットがあります。

　

(*11)マイコン：家電製品や電子機器の制御などに使われる、一つの半導体チップにコンピュータシステム全体を集積した半導体で、パソコンなどに内蔵されるマイクロプロセッサに比べ機能はシンプルで性能も低いが、安価でシステム全体の基板面積や部品点数、消費電力を少なく抑えることができます。

　

(*12)イメージセンサ：画像を電気信号に変換する半導体素子を指します。デジタルカメラをはじめ、携帯電話などにも広く使用されています。CCD、CMOSなど構造によりいくつかの種類があります。

　

(*13)アナログ：無線通信用半導体や電源制御用半導体、アナログデータをデジタルデータに変換するコンバータなど多くの種類があります。

　

(*14)MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）：機械要素部品(稼動する部品)、センサ、電子回路などを一つの基板上に集積化したデバイスを指します。製品として市販されている物としては、インクジェットプリンタのヘッド、圧力センサ、加速度センサ、DMD（プロジェクタ）、電子コンパスなどがあります。

　

 

４【関係会社の状況】

平成29年３月31日現在

名称

住所

資本金
(百万円)

主要な事業の内容

議決権の所有割合又は被所有割合 (％）

関係内容

(その他の関係会社)

 

 

 

 

 

マイクロンメモリ ジャパン㈱

東京都中央区

30,000

半導体の開発、設計、製造、販売

直接所有 39.6

テスト業務受託
研究開発受託

Micron Technology, Inc.

Idaho,　U.S.A.

US$109百万

半導体の開発、設計、製造、販売

間接所有 39.6

 

(連結子会社)

 

 

 

 

 

TeraPower Technology Inc.

台湾　新竹縣

NT$1,200百万

半導体ウエハテスト受託

所有   51.0

テスト業務委託役員の兼任３名

(連結子会社)

 

 

 

 

 

㈱テラプローブ会津

福島県会津若松市

45

半導体ウエハテスト受託

所有   100.0

テスト業務委託役員の兼任４名

 

(注)　１．Micron Technology, Inc.は当社のその他の関係会社であるマイクロンメモリ ジャパン株式会社の株式を
　　100%保有する親会社であります。

　　　２．マイクロンメモリ ジャパン㈱とMicron Technology, Inc.は６月５日付でその他の関係会社から対象外となっております。

　　　３．TeraPower Technology Inc.は、売上高の連結売上高に占める割合が10%を超えています。

　　 主要な損益情報等 (1) 売上高　　　　    7,384百万円

　　(2) 経常利益　　　    2,021百万円

　　(3) 当期純利益　　    1,595百万円

　　(4) 純資産額　　　   10,543百万円

　　(5) 総資産額　　     23,485百万円

 

 

５【従業員の状況】

(1）連結会社の状況

平成29年３月31日現在

セグメントの名称

従業員数（人)

メモリ事業

295  (   81 )

システムLSI事業

 300  (   91 )

全社（共通）

123  (   17 )

合計

718  (  189 )

 

(注) １．従業員数は就業人員（当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含みます。）であり、嘱託社員及び派遣社員は、当連結会計年度末までの１年間の平均人員を（　）外数で記載しております。

２．全社（共通）として記載されている従業員数は、特定の事業に区分できない管理部門に所属しているものであります。

 

(2）提出会社の状況

平成29年３月31日現在

従業員数（人)

平均年齢（歳)

平均勤続年数（年)

平均年間給与（千円)

274 （ 72 )

41.6

6.4

6,302

 

(注) １．従業員数は就業人員（当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含みます。）であり、嘱託社員及び派遣社員は、年間の平均人員を（　）外数で記載しております。

２．従業員のセグメント毎の内訳は、以下のとおりとなります。臨時雇用者数は、年間の平均人員を（　）外数で記載しております。

メモリ事業　　　　　        113名( 24名)

システムLSI事業 　　　       79名( 31名)

全社（共通）　　　　　     　82名( 17名)

３．平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。

 

(3）労働組合の状況

㈱テラプローブに労働組合は結成されておりませんが、㈱テラプローブ会津に労働組合が結成されております。なお、労使関係は円満に推移しております。