(注) 1.売上高には消費税等は含まれておりません。
2.潜在株式調整後1株当たり当期純利益金額については、希薄化効果を有している潜在株式が存在しないため記載しておりません。
3.第10期及び第15期の自己資本利益率については、親会社株主に帰属する当期純損失であるため記載しておりません。
4.第10期及び第15期の株価収益率については、1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。
5.第10期は、特別損失として事業構造改善費用等を計上した結果、親会社株主に帰属する当期純損失となりました。
6.2017年6月29日開催の第12期定時株主総会決議により、決算期を3月31日から12月31日に変更しました。従って、第13期は2017年4月1日から2017年12月31日の9ヶ月間となっております。
7.第13期において、企業結合に係る暫定的な会計処理の確定を行っており、第12期の関連する主要な経営指標等について、暫定的な会計処理の確定の内容を反映させております。
8.第14期より、設備賃貸料の計上方法を変更したため、第10期から第13期までの売上高について、当該表示方法の変更を反映した組替え後の数値を記載しております。
9.第14期より、「『税効果会計に係る会計基準』の一部改正」(企業会計基準第28号 平成30年2月16日)を早期適用したため、第13期については遡及適用後の数値を記載しております。
(注) 1.売上高には消費税等は含まれておりません。
2.潜在株式調整後1株当たり当期純利益金額については、希薄化効果を有している潜在株式が存在しないため記載しておりません。
3.第10期及び第13期の自己資本利益率については、当期純損失であるため記載しておりません。
4.第10期及び第13期の株価収益率については、1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。
5.第10期は、特別損失として事業構造改善費用等を計上した結果、当期純損失となりました。
6.2017年6月29日開催の第12期定時株主総会決議により、決算期を3月31日から12月31日に変更しました。従って、第13期は2017年4月1日から2017年12月31日の9ヶ月間となっております。
7.第14期より、設備賃貸料の計上方法を変更したため、第10期から第13期までの売上高について、当該表示方法の変更を反映した組替え後の数値を記載しております。
8.第14期より、「『税効果会計に係る会計基準』の一部改正」(企業会計基準第28号 平成30年2月16日)を早期適用したため、第13期については遡及適用後の数値を記載しております。
9.最高株価及び最低株価は、東京証券取引所マザーズにおけるものであります。
(注) 1.「3 事業の内容 用語解説」をご参照ください。
2.「3 事業の内容」をご参照ください。
世界有数のOSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)企業であるPowertech Technology Inc.(以下「PTI」といいます)グループの一員である当社グループは、当社(株式会社テラプローブ)及び海外連結子会社(TeraPower Technology Inc. 以下「テラパワー」といいます。)及び連結子会社(株式会社テラプローブ会津。以下、「テラプローブ会津」といいます。)により構成されており、半導体製造工程におけるウエハテスト及びファイナルテスト受託を主たる業務としております。
一般的に半導体製造工程は、ウエハ(*1)上に半導体チップを作り込む前工程(*2)と、半導体チップを組立しパッケージングする後工程(*3)に分類されます。この前工程で行う検査をウエハテストといい、後工程で行う検査をファイナルテストといいます。当社グループでは、どちらのテスト工程も受託しております。
ウエハテストとは、ダイシング(*4)前のウエハ状態で、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの電気特性を検査し、良品・不良品の判別を行うものです。具体的には、回路が作り込まれたウエハ上の半導体チップにあるパッド(*5)の一つ一つに、プローブと呼ばれる細い探針を当てて電気信号を流し、半導体回路が設計どおりに機能しているかをテスタ(*6)、プローバ(*7)等の装置を用いて電気的に検査します。
さらに当社は、蓄積したノウハウを利用した、プログラム開発やプローブカード(*8)設計の受託、デバイスの評価から量産までの一貫サポート、及びテスト効率向上の提案によって、顧客のウエハテストのコスト低減に貢献しております。
ファイナルテストには、組立終了後のパッケージ状態で設計どおりに機能するかどうかの検査のほか、最終製品の外観異常の有無を検査するパッケージ外観検査などを含みます。
当社グループの事業内容及び当社と関係会社の当該事業に係る位置付けは次のとおりであります。
当社グループの事業は国内外の半導体メーカー、ファブレス等からDRAM(*9)、SoC(*10)、マイコン(*11)、イメージセンサ(*12)、アナログ(*13)などの半導体製品のウエハテスト業務の受託が中心で、その他にファイナルテスト業務も受託しており、九州事業所、テラパワー、テラプローブ会津で行っています。さらに、九州事業所とテラパワーの双方において、自動車産業向け品質マネジメントシステム(ISO/TS16949)の認証を取得しており、日本と台湾の両拠点で、高品質が要求される車載半導体のテスト受託を強化しております。一般的にウエハテスト、ファイナルテストともに、顧客から支給されたテストプログラムを使用して検査し、半導体の特性について、良品・不良品の判別を行い、その結果を顧客に提供して業務が完了します。製品によりテスト機器やテスト環境が異なるため、顧客の様々なニーズに対応していく技術力と柔軟性が求められております。また、当社グループは、PTIやその他OSAT企業との連携により、後工程まで含めたターンキーサービスによるソリューションも提供しています。
[半導体製造工程]

(注) 上記工程図内のテスト工程(6~8、10~12)は、当社で受託しているロジック製品のテスト工程の一例を記載しております。
(※) 6、11はいずれか一方を実施。
以上に述べた事項を事業系統図に示すと次のとおりです。
[事業系統図]

2019年12月31日現在
(注) 上記事業系統図内の「取引関係」と「モノの動き」とには、様々な組み合わせの形があります。
用語解説
(*1)ウエハ:ウエハは単結晶シリコンの塊(インゴット)から薄く切り出された円盤状のものの表面を研磨した薄い板で、半導体チップを製造するための直接材料となるものです。このウエハ上にトランジスタ、キャパシタ(電荷を蓄える部品:コンデンサ)、配線などを作り込み、電子回路を形成します。
直径は200mm(8インチ)、300mm(12インチ)が一般的で、大口径化するにつれウエハ1枚当たりから取れる半導体チップ数が多くなりコストダウンにつながります。半導体チップ面積が同じであれば、300mmウエハは200mmウエハの2倍程度のチップの生産が可能です。
(*2)前工程:一般的に半導体製造工程のうち、ウエハ上に半導体チップを作り込み、ウエハ状態で検査し、良品・不良品の判別をするまでの工程を指します。
(*3)後工程:一般的に半導体製造工程のうち、前工程以降の半導体チップをパッケージングし、個々の半導体デバイスを検査し、不良品を除去するまでの工程を指します。
(*4)ダイシング:ウエハ上に作られた半導体チップを、ダイヤモンド刃のカッターなどで個々の半導体チップに切り離すことを指します。
(*5)パッド:半導体チップ上に形成された端子(電極)を指します。この端子に探針(プローブ)を当て、半導体の電気特性を測定します。
(*6)テスタ:半導体の電気特性を検査するための装置です。テストプログラムに基づき、直流、交流特性並びに機能について検査を行います。
(*7)プローバ:プローブカードを装着し、テスタに接続して使用します。ウエハを1枚ずつ出し入れし、ウエハを移動しながら半導体チップのパッドにプローブを接触させる装置です。
(*8)プローブカード:ウエハテストにおいて、半導体チップの電気的検査をするために用いられる接続治具(探針)です。半導体チップのパッド(電極)とテスタとを接続する役割を持ち、パッドに探針(プローブ)を接触させることにより、半導体チップの電気的検査を行い良否判定をします。
半導体チップのパッド位置に合わせてプローブの配置も変わるため、製品毎に専用のプローブカードが必要となります。
(*9)DRAM(Dynamic Random Access Memory): DRAMは、記憶単位が1個のトランジスタと1個のキャパシタ(電荷を蓄える部品:コンデンサ)で構成される半導体で、集積度に優れています。このためビット単価も安く、大容量のメモリを必要とするシステムを中心に使用されます。DRAMは情報をキャパシタに電荷で蓄えるため、微少の漏れ電流によって長時間放置すると情報が失われます。このため定期的に同一情報を再書き込みする必要があります。
(*10)SoC(System on Chip): 一つの半導体チップ上に、必要とされる一連の機能(システム)を集積したものを指します。複数の機能を1チップ上に集積することで、基板上に複数の単機能LSIを実装するよりも機器自体の小型化が可能になるなどのメリットがあります。
(*11)マイコン:家電製品や電子機器の制御などに使われる、一つの半導体チップにコンピュータシステム全体を集積した半導体で、パソコンなどに内蔵されるマイクロプロセッサに比べ機能はシンプルで性能も低いが、安価でシステム全体の基板面積や部品点数、消費電力を少なく抑えることができます。
(*12)イメージセンサ:画像を電気信号に変換する半導体素子を指します。スマートフォンやデジタルカメラなどに広く使用されています。CCD、CMOSなど構造によりいくつかの種類があります。
(*13)アナログ:無線通信用半導体や電源制御用半導体、アナログデータをデジタルデータに変換するコンバータなど多くの種類があります。
2019年12月31日現在
(注) 1.Powertech Technology Inc.は当社のその他の関係会社である力成科技日本合同会社の持分を
100%保有する親会社であります。
2.TeraPower Technology Inc.は、売上高の連結売上高に占める割合が10%を超えています。
主要な損益情報等 (1) 売上高 9,989百万円
(2) 経常利益 139百万円
(3) 当期純利益 80百万円
(4) 純資産額 14,977百万円
(5) 総資産額 36,285百万円
2019年12月31日現在
(注) 1.従業員数は就業人員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含みます。)であり、嘱託社員及び派遣社員は、当連結会計年度末までの年間の平均人員を( )外数で記載しております。
2019年12月31日現在
(注) 1.従業員数は就業人員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含みます。)であり、嘱託社員及び派遣社員は、年間の平均人員を( )外数で記載しております。
2.平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。
3.前事業年度末に比べて従業員数が44名減少しております。これは、定年退職や自己都合退職に加え、2019年7月1日付で、システムソリューションセンターを廃止したことによるものであります。
㈱テラプローブに労働組合は結成されておりませんが、㈱テラプローブ会津に労働組合が結成されております。なお、労使関係は円満に推移しております。